申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：110年 - 110 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#101633
科目：半導體工程
年份：110年
排序：0

六、為什麼在矽局部氧化形成時，氧化薄膜會向矽基板內生長？請計算其比例（以未成長時之表面當參考位置）。（15 分）