申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#118133
科目：半導體工程
年份：112年
排序：0

申論題內容

六、矽 p-n 接面在 T = 300 K 之施體雜質與受體雜質濃度分別為 N_D = 1015 cm^-3 及 N_D = 10¹⁶ cm^-3，且未施加電壓；本質載子濃度 n_i= 1.5 × 10¹⁰ cm^-3。試求空乏區寬度及最大電場強度分別為？（20 分） [kT__300K = 0.0259 eV 、單位電量 q = 1.6 × 10^-19 C 、介電常數為 11.7ε₀(ε₀ = 8.85 × 10^-14 F/cm)]