阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
107年 - 107 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#69602
> 申論題
六、請說明兩種在 n 型基板上可製作得到 pn 二極體接面之方法,並比較其不同。 (10 分)
相關申論題
二、請畫出如何利用霍爾效應量測載子濃度之架構圖,並以 n 型半導體為例說明如何量 測載子濃度。(10 分)
#279534
三、請畫出矽和砷化鎵之電子漂移(drift)速度與電場之關係圖,並說明其不同之處與原因。 (10 分)
#279535
四、矽的 PN 二極體屬單邊陡接面二極體(one-sided abrupt junction),其 NA=2×1019 cm-3, ND=1×1016 cm-3,請計算其二極體之內建電壓(Vbi),空乏區(W),接面電容(在 0V 時) 。 Note:矽本質濃度 9.65×109 cm-3,介電常數 11.7。(12 分)
#279536
五、以 n 型通道元件為例,請畫出金氧半場效電晶體增強型模式結構與空乏型模式結構, 並分別解釋如何運作。(20 分)
#279537
七、在半導體製程中常須將元件製作在 SOI(Silicon on insulator),請說明 SOI 如何製作而得。 (10 分)
#279539
八、請寫出發光二極體之理想 I-V 關係式?此理想關係式會受哪些影響與需進行何種修正? (8 分)
#279540
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差,並在能帶圖上標示出來。(10 分)
#560349
相關試卷
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#134688
114年 · #134688
114年 - 114 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#128721
114年 · #128721
114年 - 114 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#128720
114年 · #128720
113年 - 113 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#124513
113年 · #124513
113年 - 113 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#121484
113年 · #121484
112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
112年 · #118133
112年 - 112 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#115437
112年 · #115437
111年 - 111 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#112359
111年 · #112359
111年 - 111 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#109458
111年 · #109458
111年 - 111 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#108533
111年 · #108533