申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：103年 - 103 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39515
科目：半導體工程
年份：103年
排序：0

申論題內容

六、Si 的 SiO₂ 熱成長可用 Deal-Grove 模型來描述：t_ox² + A t_ox = Bt，公式中 t_ox 為氧化層厚度、t 為氧化時間、A 與 B 為相關之參數。以 1000˚C 做乾氧成長時，A = 0.165 μm、 B = 0.0117 μm²/hr。成長 10 小時，問 SiO₂ 的厚度。若 t_ox>>A，證明 SiO₂ 的成長速率與 t_ox 成反比，並說明其物理意義。（15 分）