六、Si 的 SiO2 熱成長可用 Deal-Grove 模型來描述：tox2 + A tox = Bt，公式中 tox 為氧化層厚 度、t 為氧化時間、A 與 B 為相關之參數。以 1000˚C 做乾氧成長時，A = 0.165 μm、 B = 0.0117 μm2/hr。成長 10 小時，問 SiO2 的厚度。若 tox>>A，證明 SiO2 的成長速 率與 tox 成反比，並說明其物理意義。（15 分）