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105年 - 105 鐵路特種考試_高員三級_事務管理:事務管理#53480
> 申論題
四、假如您是某公營事業的職員,負責招考工友一名,請說明錄取之工友,爾後工作上 要如何考核?並請說明考核獎懲的可能結果。(25 分)
詳解 (共 2 筆)
宜蓁
詳解 #3564088
2019/08/31
依工友管理要點規定:「工友平時考核及獎懲...
(共 938 字,隱藏中)
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dream84700
詳解 #2921213
2018/07/17
務」對現代化的事業來說非常重要,請說明「...
(共 32 字,隱藏中)
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相關申論題
⑴在室溫下,具有 3.29 × 1017 cm -3電洞濃度的 P 型鍺材料,假如它的本質濃度(intrinsic concentration, ni)是 2.5 × 1013 cm -3,請計算此材料的電子濃度費米能階與本質 費米能階(intrinsic Fermi level)的能量差距。
#196264
⑵關於金屬與半導體的蕭特基接觸(Schottky contact),請解釋為什麼蕭特基接觸不 會展現出擴散電容(diffusion capacitance)的特性?
#196265
⑵關於 npn 雙極性電晶體,當我們縮小 npn 雙極性電晶體的平面結構(planar configuration)尺寸時,接面深度也必須同時縮減。請說明如何做出淺接面(shallow junction)?
#196267
⑵請比較金屬-氧化層-半導體場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)與調變摻雜場效電晶體(modulation-doped field-effect transistor, MODFET)在元件結構與特性上的差異。
#196269
⑴一般清洗矽晶圓,都採用 RCA cleans 方式,請說明什麼是 RCA cleans?
#196270
⑵目前在超大型積體(VLSI)電路的金屬化(metallization)製程,多採用銅導線而 不是鋁導線。因為採用鋁導線會產生電子遷移(electromigration)的問題,請說明 什麼是電子遷移(electromigration)?
#196271
⑶請說明摻雜的二氧化矽(doped silicon dioxide)用途。
#196272
⑷以砷化鎵的磊晶技術為例,請說明化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD) 與有機金屬化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)兩者 的差異。
#196273
一、試繪出五種幾何公差之符號,並說明其意義。(15 分)
#196274
四、一圓盤離合器摩擦環内徑 100 mm,外徑 400 mm,摩擦係數 0.3,摩擦環轉速 120 m/min。 若摩擦材料能承受的最大壓力為 1 kg/cm2 ,則此離合器最大能制動多大的扭矩?最大 的軸向推力是多少?(25 分)
#196277
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