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半導體工程
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105年 - 105 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#53481
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題組內容
四、回答下列問題:(每小題 10 分,共 40 分)
⑶請說明摻雜的二氧化矽(doped silicon dioxide)用途。
其他申論題
【已刪除】⑴對於一理想的金屬-氧化層-半導體電容(metal-oxide-semiconductor capacitor, MOS capacitor),具有下圖的電容-電壓(capacitance-voltage, C-VG)特性,請說明反轉 (inversion)、空乏(depletion)、平坦能帶(flat band)、VG = VT(VG為閘極電壓, VT為臨界電壓)、聚積(accumulation)分別對應至下圖電容-電壓特性曲線中 a、b、 c、d、e 的何點?
#196268
⑵請比較金屬-氧化層-半導體場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)與調變摻雜場效電晶體(modulation-doped field-effect transistor, MODFET)在元件結構與特性上的差異。
#196269
⑴一般清洗矽晶圓,都採用 RCA cleans 方式,請說明什麼是 RCA cleans?
#196270
⑵目前在超大型積體(VLSI)電路的金屬化(metallization)製程,多採用銅導線而 不是鋁導線。因為採用鋁導線會產生電子遷移(electromigration)的問題,請說明 什麼是電子遷移(electromigration)?
#196271
⑷以砷化鎵的磊晶技術為例,請說明化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD) 與有機金屬化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)兩者 的差異。
#196273
一、試繪出五種幾何公差之符號,並說明其意義。(15 分)
#196274
【已刪除】二、如下圖 A、B、C 三個不等直徑的軸長度分别量出為 a = 40.0± 0.5,b = 60.0± 0.3 及 c = 100.0 ± 0.8 。請算出總長 d 及公差。如果要控制總長 d 在 1.0 公差範圍内,則你 會如何做?(15 分)
#196275
【已刪除】三、如下圖的軸系,A 及 B 為軸承而 F 以 45 度角作用在軸上,L=1,000 mm,F=100 kg, 軸徑為 50 mm。試找出 A 及 B 之反作用力(A 可承受徑向力而 B 承受徑向及軸向力), 並計算最大的彎矩力在何處及最大的應力為何?(20 分)
#196276
四、一圓盤離合器摩擦環内徑 100 mm,外徑 400 mm,摩擦係數 0.3,摩擦環轉速 120 m/min。 若摩擦材料能承受的最大壓力為 1 kg/cm2 ,則此離合器最大能制動多大的扭矩?最大 的軸向推力是多少?(25 分)
#196277
【已刪除】五、如下圖之裝置,滑動軸承軸頸直徑為 20 mm,軸承材料能承受最大之壓力為 6 MPa, 試算出各軸承之長度為何,才能承受皮帶輪作用在軸上 2,000 kg 的力。L1=800 mm 且 L2=200 mm。(25 分)
#196278