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申論題資訊

試卷:105年 - 105 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#53481
科目:半導體工程
年份:105年
排序:0

題組內容

一、回答下列問題:(每小題 10 分,共 20 分)

申論題內容

⑴在室溫下,具有 3.29 × 1017 cm -3電洞濃度的 P 型鍺材料,假如它的本質濃度(intrinsic concentration, ni)是 2.5 × 1013 cm -3,請計算此材料的電子濃度費米能階與本質 費米能階(intrinsic Fermi level)的能量差距。