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半導體工程
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105年 - 105 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#53481
> 申論題
題組內容
四、回答下列問題:(每小題 10 分,共 40 分)
⑵目前在超大型積體(VLSI)電路的金屬化(metallization)製程,多採用銅導線而 不是鋁導線。因為採用鋁導線會產生電子遷移(electromigration)的問題,請說明 什麼是電子遷移(electromigration)?
相關申論題
⑶請說明摻雜的二氧化矽(doped silicon dioxide)用途。
#196272
⑷以砷化鎵的磊晶技術為例,請說明化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD) 與有機金屬化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)兩者 的差異。
#196273
一、試繪出五種幾何公差之符號,並說明其意義。(15 分)
#196274
四、一圓盤離合器摩擦環内徑 100 mm,外徑 400 mm,摩擦係數 0.3,摩擦環轉速 120 m/min。 若摩擦材料能承受的最大壓力為 1 kg/cm2 ,則此離合器最大能制動多大的扭矩?最大 的軸向推力是多少?(25 分)
#196277
⑴說明品質成本可以區分為那四大類?(5 分)
#196279
⑵圖示品質總成本概念圖,並據此說明最適品質的意義。(5 分)
#196280
二、請說明揀貨方式之兩大類型。(10 分)
#196281
⑴前置時間=0 之固定需求模式。(6 分)
#196282
⑵前置時間=L 之固定需求模式。(6 分)
#196283
⑶前置時間=L 之常態分布變動需求模式。(8 分) (請自定各項變數名稱,例如:X 代表時間、Y 代表庫存量)
#196284
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