申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：100年 - 100 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#50230
科目：半導體工程
年份：100年
排序：0

四、假設使用熱氧化法在矽晶圓上生長二氧化矽厚度 x，多厚的矽晶圓被消耗掉？矽的原子重量是 28.9 克/摩爾，矽的密度是 2.33 克/立方公分，二氧化矽的分子重量是 60.08 克/摩爾，二氧化矽的密度是 2.21 克/立方公分。（15 分）