阿摩線上測驗 登入
首頁 > 半導體工程 > 100年 - 100 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#50230 > 申論題

申論題

試卷：100年 - 100 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#50230
科目：半導體工程
年份：100年
排序：0

申論題資訊

試卷：100年 - 100 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#50230
科目：半導體工程
年份：100年
排序：0

題組內容

二、

申論題內容

⑵若兩種矽晶圓用於製作 MOSFET 何者氧化層與矽晶圓之界面狀態密度較低？為 何？（5 分）