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半導體工程
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100年 - 100 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39997
> 申論題
四、在一半導體材料中,請寫出電洞之連續方程式(continuity equation),並定義各參 數及說明方程式中各項之物理意義。(10 分)
相關申論題
五、一 p-n 接面二極體(junction diode)在交換應用(switching application)之順向 (forward)與逆向偏壓(reverse bias)切換時具電容(capacitance)效應,請說明 順向與逆向偏壓時之電容效應及物理意義。(10 分)
#121494
六、請繪出n通道MOSFET之典型電流(ID)-電壓(VDS, VGS)特性圖,並說明其原理。( 15 分)
#121495
七、請列出兩種在矽(Si)基片上成長氧化層的方法,並簡述其成長原理及兩者成長膜 之性質差異。(15 分)
#121496
八、請列出兩種在半導體基片上摻雜雜質(impurity)的方法,並簡述其原理及兩者摻 雜之性質差異。(10 分)
#121497
1. 馬凱爾(Burton G. Malkiel)將債券價格的特性歸納成五點,稱為馬凱爾債券價格五大定理(Malkiel's bond-pricing theorems)。請分別敘述此五大定理之內容。(10 分)
#121498
(1) 投資人會考慮終生消費和投資計畫,而非僅限於一時之投資績效及風險(2 分)
#121499
(2) 投資人會考慮投資於非公開發行公司之股票(2 分)
#121500
(3) 投資人借入資金的利率高於無風險利率(2 分)
#121501
(4) 金融市場中不存在無風險資產(2 分)
#121502
(5) 金融市場中存在證交稅和交易手續費(2 分)
#121503
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