四、在 IC 奈米化過程中，有許多新的製程技術被引用，其中高介電係數（High K）材料製程也是被引用技術之一，請詳細說明 High K 材料技術在 IC 奈米化過程可協助解決甚麼困難？（20 分）

三、有兩個 P-N 接面二極體，假設其接面雜質分佈皆為陡接面（Abrupt junction），因此也假設其分級係數（ Grading coefficient ） m=1/2 ，其中 P 型區之雜質濃度 NA=1×1016 cm-3，N 型區之雜質濃度 ND=5×1015 cm-3，另外這兩個 P-N 接面二極體接面之截面積分別為 0.1 mm2 及 0.2 mm2，將兩個二極體 P 型端接 P 型端，N 型端接 N 型端，形成並聯連接，並將並聯之二極體加一反向偏壓 3 V，在 T=300 °K 下，試求此並聯二極體之等效電容為多少法拉（Farad，簡稱為 F）？（20 分）