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半導體工程
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109年 - 109 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#88494
> 申論題
四、如果一半導體存在表面複合,請畫出少數載子從表面至內部之濃度分布 圖,並標示出平衡濃度與lifetime相關之資訊。(10分)
相關申論題
五、請說明二極體空間電荷與空乏區之定義。若一二極體具有NA = 1018 /cm3, ND = 1015 /cm3,請計算其內建電壓。(9分)
#358439
六、離子佈植至單晶半導體,垂直植入和傾斜角度植入會有何差異?(10分)
#358440
七、何謂磊晶成長?為何需要異質磊晶成長?異質磊晶成長須滿足那些條 件?(12分)
#358441
八、請說明發光二極體之發光機制,並說明主要發光位於二極體之何處。(10分)
#358442
九、兩種不同材料之能帶圖如圖(一),請畫出異質接面之能帶圖。(5分)
#358443
十、請畫出一金屬/氧化層/p-type半導體結構如圖(二)之平衡能帶圖,其中金屬 電子親和力為qΦm,氧化物厚度d,氧化層電子親和力為qχi,p-type半導體 電子親和力為qχ,功函數qΦs,其中qΦm > qχ,並說明此能帶圖在三種不同 電壓(V < 0、V > 0及V ≫ 0)作用時會產生那三種變化?(12分)
#358444
一、如何進行黏土的三軸壓密不排水試驗(CU Test)?如何由試驗結果,分別得到土壤之不排水及排水剪力強度參數?(25分)
#358445
⑴試求此單向偏心彎矩載重及垂直載重導致贅餘力(Resultant force)之偏 心距eB為何?並計算基礎因此贅餘力而承受最大(qmax)和最小(qmin) 的承載應力各為何?(10分)
#358446
⑵基礎下的土壤參數如圖一所示,當ø′ = 34°時,其承載力因子Nc = 52.6, Nq = 36.5,Nγ=39.6,求可承擔的極限承載應力(qu)為何?(15分) (提示:有效寬度B′ =(B - 2×eB))
#358447
三、某基地土層剖面,自地表面開始,包含5 m的砂土,其下面是13 m厚的黏 土,地下水在地表面以下2.8 m。地下水位以上的砂土單位重是19 kN/m3, 水位以下的砂土飽和單位重是20 kN/m3。黏土之飽和單位重是15.7 kN/m3, 有效摩擦角是35°,過壓密比是2.0。試計算地表面以下11.0 m深處的垂直 總應力、垂直有效應力、水平總應力、水平有效應力各為何? (提示:Ko=(1-sinø′)×(OCR)sinø′)(25分)
#358448
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