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【段考】高一英文
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100年 - 100上2高一英文 - 臺南市國立善化高中100 上學期高一英文第二次段考(期中考)#52307
> 申論題
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詳解 (共 2 筆)
【站僕】摩檸Morning.
詳解 #1762127
2016/06/14
4.too 5.for 6.to ...
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daryllin lin
詳解 #4222283
2020/08/16
This cup of tea is t...
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#189975
⑴請說明矽晶體與砷化鎵晶體成長(Bulk crystal growth)方式的差異性。(10 分)
#189976
⑵成長薄膜的方式包含沉積(Deposition)與磊晶(Epitaxy),請說明這兩種方式 的差異性。(10 分)
#189977
二、關於二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)與鋁(Al),請列出各一種最常用的濕式 蝕刻溶液(Wet etchant)。(10 分)
#189978
⑴在離子佈植過程中,由於高能離子撞擊進入半導體晶片內部,造成半導體晶格 (lattice)受到損傷(damage),通常我們會將離子佈植後的半導體晶片進行熱 處理。請說明使用快速熱處理(Rapid thermal processing)方式優於一般傳統的加 熱爐方式之原因為何?(10 分)
#189979
⑵通常在離子佈植過程中,我們使用光阻來作為阻止離子佈植的區域;而在擴散過 程中卻不使用光阻來作為阻止摻雜雜質擴散的區域。為什麼?(10 分)
#189980
⑶在擴散過程中,一般都會使用預先沉積(Predeposition)與驅入擴散(Drive-in diffusion)兩個步驟來進行擴散,請說明這兩個步驟分別所扮演的功能為何? (10 分)
#189981
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