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申論題資訊

試卷:110年 - 110 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#102616
科目:半導體工程
年份:110年
排序:5

申論題內容

(二)通常較高值的厄利電壓(Early voltage, VA)可以得到較高值的電壓增 益。如果我們以下列三種方式設計雙極性電晶體以增加厄利電壓:1. 增加基極寬度,2.增加基極濃度,3.減少集極濃度,請說明那一種方式可以得到較高值的電流增益(β)?請說明理由。