題組內容

六、具有 n-型通道金屬-氧化物-半導體接面場效電晶體（MOSFET） ，其相關 參數如下： 通道長度 L = 1.25 μm、電子遷移率 μn = 650 cm2/V-s、閘極氧化層電容 Cox = 6.9 × 10-8 F/cm2、臨界電壓 VT = 0.65 V。在閘-源極偏壓 VGS = 5 V 之下，試求： （每小題 5 分，共 10 分）

⑴當逐漸增加汲-源極偏壓，致使電晶體由線性區進入飽和區之汲-源極 電壓 VDS, sat = ？

詳解 (共 1 筆)

詳解 提供者：hchungw

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