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半導體工程
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108年 - 108 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#76899
> 申論題
題組內容
五、具有均勻摻雜陡峭接面(abrupt junction)之 p
+
-n 二極體,請說明如何以 電容-電壓(C-V)量測技術,萃取如下參數:(每小題 5 分,共 10 分)
⑵內建電位能障,qVbi = ?
相關申論題
⑴當逐漸增加汲-源極偏壓,致使電晶體由線性區進入飽和區之汲-源極 電壓 VDS, sat = ?
#311007
⑵已知汲極飽和電流 ID(sat)= 4 mA,試求電晶體之通道寬度 W = ?
#311008
⑴試求 1 莫耳(mole)矽及 1 莫耳二氧化矽所占的體積分別為?
#311009
⑵如欲成長厚度為 100 nm 之二氧化矽層膜,需消耗矽之厚度為?
#311010
一、令一行列式為求 x 為何?(10 分)
#311011
⑴ f (z ) 的麥克勞林級數(Maclaurin series)展開式。(7 分)
#311012
⑵第⑴小題之級數的收斂半徑。(3 分) d2y dy (0) ∞
#311013
三、
#311014
⑴ Y 的期望值(expected value):E [Y ]。(5 分)
#311015
⑵ Y 2 的期望值(expected value):E [Y 2]。(5 分)
#311016
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