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半導體工程
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108年 - 108 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#76899
> 申論題
題組內容
七、假設以熱氧化製程形成二氧化矽(SiO 2 ) ,其相關參數值表列如下: (每小題 10 分,共 20 分)
⑵如欲成長厚度為 100 nm 之二氧化矽層膜,需消耗矽之厚度為?
相關申論題
一、⑴請說明什麼是「外質半導體(extrinsic semiconductor)」?(5 分)
#310997
⑵請列舉兩項影響外質半導體導電率(conductivity)之可能因素,並說 明其影響方式。(10 分)
#310998
二、請說明「質量作用定律(mass action law)」之物理意義。(10 分)
#310999
三、⑴漂移(drift)及擴散(diffusion)為半導體中載子傳輸之主要方式,請 分別說明其物理機制。(10 分)
#311000
⑵ 試 列 出 「 愛 因 斯 坦 關 聯 式 ( Einstein relation )」 之 數 學 表 示 式 (mathematical equation) ,並說明其物理意義。(10 分)
#311001
⑴理想之蕭特基能障高度(ideal Schottky barrier height)ΦB0 = ?
#311002
⑵內建電位能障(built-in potential barrier),qVbi = ?
#311003
⑶金屬-半導體接面之最大電場強度|Emax| = ?
#311004
⑴ n-型區之施體摻雜濃度 ND = ?
#311005
⑵內建電位能障,qVbi = ?
#311006
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