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104年 - 104 高等考試_三級_電力工程、電子工程:電子學#42747
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題組內容
四、圖 四 中 兩 電 晶 體 完 全 匹 配 , 其 小 信 號 參 數 為 r
o
= 10 k Ω 以 及 g
m
= 4 mA/V, R
L
= R
D
= 10 k Ω ,C = 100 pF,不計寄生雜散電容與基體效應(body effect)。 (每小題 10 分,共 20 分)
⑴以對稱半電路分析,求算低頻之小信號增益 A
v
= v
od
/v
id
。
相關申論題
⑴使用理想二極體,畫出此齊納二極體之等效電路。
#135560
⑵畫出圖一(b)電路 vo 與 vs 之轉換特性曲線(transfer characteristic)。標示所有轉折 點與線段斜率。
#135561
⑵增益頻率函數中之極點與零點所對應的時間常數為何? +VDD RD RD RL C - vod + Q1 Q2 +vid /2 -vid /2 I -VSS 圖四
#135565
五、圖五 CMOS 數位電路中,C 為時脈(clock),輸入信號 A 與 B,輸出信號 X 與 Y。 依 C = 0 與 1 情況,分析此電路並建立 X、Y 與 A、B 關係之真值表。(20 分)
#135566
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
四、有一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路如圖三所示,所有電晶體均工作 在飽和區(Saturation Region)。為計算方便,未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體 Q1 與 PMOSFET 電晶體 Q2 的參數如下:g m1 = g m2 = 5 mA/V, ro1 = ro2 = ∞。電路中,RD1 = 10 kΩ,RD2 = 10 kΩ,R1 = 2kΩ,R2 = 18 kΩ。 請計算:電壓增益 vo/vs、輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Rout。(25 分)
#569908
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