題組內容

四、在半導體曝光顯影製程中，對於所使用的光阻（photo resist）：

⑵採用正光阻製程，若要製作一凸起之 I 字型光阻圖案，請繪出所設計光罩圖型示 意圖（以斜線代表暗區，空白代表亮區表達）。（10 分）