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半導體工程
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101年 - 101 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39534
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題組內容
三、
⑵為何不直接從 pn 二極體的逆向偏壓 I-V 特性得到逆向飽和電流,有何實際困難? (8 分)
相關申論題
⑴說明這兩個電容的成因為何?(6 分)
#118046
⑵在順向偏壓下,主控的電容會是那一個?為什麼?(6分)
#118047
⑶在逆向偏壓下,主控的電容會是那一個?為什麼?(6 分)
#118048
⑴繪圖說明雙極性接面電晶體的基極寬度調變(base width modulation)效應。(6 分)
#118049
⑵繪出集極電流對基極集極間電壓之關係,並說明基極寬度調變效應對集極電流的 影響。(6 分)
#118050
⑴使用 Czochralski 法(CZ 法)拉晶矽晶棒過程中 限制拉晶速率的主要因素為何? , (6分)
#118051
⑵使用 CZ 法拉晶時,大部分的雜質都會被排斥而無法進入晶棒之中,只有那一種 雜質會傾向進入矽晶棒?為什麼?(6 分)
#118052
七、氫氟酸(HF)是二氧化矽的良好蝕刻劑,但卻無法蝕刻矽。說明如何使用包含氫氟 酸的混合溶液來蝕刻矽?(10 分)
#118053
一、何謂「無痕山林運動」(Leave No Trace,簡稱 LNT)?有那些行動準則?請解 析應如何運用在臺灣觀光遊憩發展與規劃上?(25 分)
#118054
二、臺灣的觀光夜市為國人與國際觀光客最愛的旅遊景點之一,請分析其觀光吸引力 何在?從發展國際觀光目標來看,目前臺灣的觀光夜市普遍存在那些問題或缺失? 一個良好的國際觀光夜市應具備那些良好的規劃條件與經營管理策略?(25 分)
#118055
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