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半導體工程
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98年 - 98 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#39790
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⑵請說明反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etch)的原理,並說明其是否為選擇性和等 向性蝕刻。(10 分)
相關申論題
一、造形美學上所謂「美的形式原理」包括那些法則?請詳細說明之。(25 分)
#119871
二、何謂「機器美學時代」?它與包浩斯時代的關係為何?對當時設計界的影響為何? 請詳細說明之。(25 分)
#119872
三、請以圖表形式呈現設計的「色彩計畫」流程。(25 分)
#119873
四、設計的創意思考法中何謂「水平與垂直思考法」、「聯想法」?請依序說明後,並 以圖解方式呈現之。(25 分)
#119874
一、國際安全管理章程(ISM Code)對於船公司及船長之責任與職權各有何規定?(20 分)
#119875
二、國際船舶及港口設施保全章程(ISPS Code)之目的為何?保全官(Security officer) 分為那三種?各有何職掌?(20 分)
#119876
三、就穩度而言,船舶向右傾斜之原因主要分為受風浪影響及重量分配不當兩大類,請 用圖示分別說明這兩種情況之重心與浮心之關係,以及兩者要如何才能使船舶扶正? 原理為何?(25 分)
#119877
四、海上人命安全國際公約(SOLAS)第五章航行安全之規則中,有那些規則是須由沿 岸國建立之措施或服務?這些規則制定之原因為何?(15 分)
#119878
五、危險貨物之分類有那些?船舶運載危險貨物應依其性質將不同貨物作適當分隔,分 隔之方式有那四種?並寫出分隔之英文術語(Segregation term)。(20 分)
#119879
一、在溫度 300K 的環境,一 n 型(n–type)矽晶圓,其摻雜磷(Phosphorus)之濃度為 3x1017 atoms/cm3,假設其摻雜之雜質均勻分布於晶圓,同時摻雜雜質完全游離化 (complete ionization),有效導帶能態密度(effective density of states in the conduction band)NC=2.86X1019 cm-3 ,有效價帶能態密度(effect density of states in the valence band) NV=2.6X1019cm-3,請計算及畫圖說明此晶圓之費米能階(Fermi level, EF)和導 電帶(conduction band,Ec )最低點之電子伏特(eV)差值。(20 分) (常數 k = 1.38066 X 10-23 J K )
#119880
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