⑶並説明與高溫爐乾/濕式（Furnace Dry/Wet）氧化機構之差異。（ 20 分）

⑴敘述鎢金屬化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD-W）技術在極大型積體電路（ULSI）應用上，氣相預清潔（Vapor Phase Precleaning）技術在沉積速率（Deposition Rate）、選擇率（Selectivity）、矽耗（Si Consumption）、黏附（Adhesion）之影響特性。