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半導體工程
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102年 - 102 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39522
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題組內容
六、一般的化學溶液蝕刻劑都是等向性蝕刻劑(isotropic etchant),會往所有方向均勻 地蝕刻,造成圓角的截面特徵。相對地,非等向性蝕刻劑(anisotropic etchant)比 較喜歡在一個方向上蝕刻,造成由平坦且明確定義的表面所界定的壕溝或腔體。氫 氧化鉀(KOH)是截至目前最常使用之矽的非等向性蝕刻劑。
⑶什麼材料可以作為 KOH 蝕刻的罩幕材料?(5 分)
相關申論題
⑷什麼材料可以作為 KOH 蝕刻停止(stop)?(5 分)
#117920
⑴人體組織等效球其質量組成
#117921
⑵年攝入限度
#117922
⑶干預
#117923
⑷表面污染物體
#117924
⑸低擴散性放射性物質
#117925
⑹污染
#117926
⑺櫃型
#117927
二、依輻射醫療曝露品質保證標準作成之校驗紀錄,應載明那些事項?(14 分)
#117928
三、那些設施屬於高強度輻射設施?(12 分)
#117929
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