申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：107年 - 107 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組)：半導體概論#108989
科目：中山◆電機◆半導體概論
年份：107年
排序：0

申論題內容

Dielectric constant: Si = 11.9 ; SiO₂ =3.9. Bandgap: Si = 1.12 eV ; GaAs = 1.42 eV.

1. A silicon sample has a doping profile with donors N_D = N_O exp(-mx). If N_D>>n_i, find the expression for the built-in electric field at equilibrium. (20%)