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115年 - 營業用動力小船題庫_第二章_避碰規則:2. 燈號、號標、號笛、旗號 51-90(2026/03/16 更新)#146463(40題)
115年 - 115 高雄醫學大學_學生轉系考試試題:普通化學#146461(25題)
115年 - 115 高雄醫學大學_學生轉系考試試題:普通生物學#146453(50題)
115年 - 115 國立臺北大學_碩士班一般入學考試試題_法律學系(基礎法學組、公法學組、刑事法學組、財經法學組):德文#146438(5題)
115年 - 115 國立臺北大學_碩士班一般入學考試試題_法律學系公法學組:憲法#146433(8題)
115年 - 115-1 電動車機電整合工程師-初級能力鑑定_第二科:電動車機電整合概論#146411(50題)
115年 - 115-1 電動車機電整合工程師-初級能力鑑定_第一科:電動車概論#146410(50題)
115年 - 115 澎湖縣國民小學暨附設幼兒園教師/代理教師甄選試題:幼兒教育專業及學前特教專業知能(含國語文)#146389(100題)
115年 - 115 國立臺北大學_犯罪學研究所碩士班甄試入學招生考試試題:犯罪學#146357(4題)
115年 - 115-3合作金庫商業_新進人員甄試試題_一般金融人員_專業科目:含會計學、貨幣銀行學、法律常識(票據法/銀行法)#146331(70題)
最新試題
7. Which of the following trans complexes would you expect to react most rapidly with CO? (3%)(A) Cr(CO)4(PPh3)2 (B) Cr(CO)4(PPh3)(PBu3) (Bu = n-butyl)(C) Cr(CO)4(PPh3)[P(OMe)3] (D) Cr(CO)4(PPh3)[P(OPh)3
6. Which of the following complexes have18-electron valence configurations? (3%)(A) Ir(CO)Cl(PPh3)2 (B) RhCl(PPh3)3 (C) [Ni(CN)4]2- (D) [V(CO)7]+
5. What is the ground term for the configuration of d8 (Oh symmetry) (3%)(A) 3F4 (B) 5D0 (C) 2T2g (D)2Eg
最新申論題
5. Find the solution of the following equation: (20%)Uxy+2Ux=X , satisfying contion U(0,y)=0, Ux(x,0)=X2
(b) (10%)
(a) (10%)
最新課程
國中作文-修辭法
講師:
侯安澤
簡介:
這一個課程是關於修辭法的介紹
國中作文-作文基本的文體
講師:
侯安澤
簡介:
這個課程是在介紹作文的各種基本文體
Nico測試
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OAO
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共筆.口腔解剖.頸部三角(必考)
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因很多同學私訊,跟我要筆記 思考後決定與大家分享 筆記特色 很多精美圖片 清晰解說 國考的王道圖清...
共筆.口腔解剖.(必考)神經
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因很多同學私訊跟我要筆記 思考後決定與大家分享 希望大家都可以一次通過~ 筆記特色 很多精美圖片...
共筆.口腔解剖.(必考)動脈靜脈
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因很多同學私訊,跟我要筆記 思考後決定與大家分享 筆記特色 很多精美圖片 清晰解說 國考的王道圖清...
最新討論
15. To tell the truth ________right. (A) were (B) done (C) is (D) are
16. The red car is ________, not yours. (A) bright (B) old (C) big (D) mine
17. John looks taller________ Peter. (A) than (B) under (C) off (D) between
1. 已知甲乙兩農產品為替代品且產季相同,以下哪一種情形會使甲產品的市場交易價格下降? (A)甲產品供給增加 (B)消費者所得增加 (C)乙產品價格增加 (D)乙產品需求增加
複選題29.某直轄市交通警察大隊收受所轄直屬分隊送交之違反道路交通管理事件後,應做哪些處置? (A)移送違反道路交通管理事件,應設簿登記或輸入電腦資料檔案,以備查考 (B)應審查該事件填記內容是否符合規定、附件是否齊全 (C)發現不符規定或附件欠缺者,協調補正後再行移送處罰機關 (D)發現內容填記錯誤者,應即日通知被通知人更正 (E)發現內容填記錯誤者,距移送處罰機關之期限未達 3 日之情況急迫時,得經處罰機關核准 後逕為更正
(四)根據歷史數據顯示,該極紫外光曝光機在對每片晶圓進行曝光時,特 定關鍵區域「無微粒缺陷」 (即完全達標合格)的機率為 0.3,且每片 晶圓的檢測結果彼此相互獨立。若該區域出現微粒缺陷,則視為一次 「出錯或失敗」 。工程師為了進行設備耐受度測試,設定曝光機必須直 到累積發生第 2 次「無微粒缺陷」 (合格)時才停止測試。令隨機變數 W 表示在此期間該曝光機所累積的「出錯(失敗)次數」 。請寫出 W 的機率密度函數。