阿摩線上測驗
登入
首頁
> 最新資料
最新資料
瀏覽最新的試卷、試題和詳解,掌握最新考試資訊
最新科目
金融服務行銷
近代物理
靜力學概要與材料力學概要
最新試卷
114年 - 114 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_核能工程、工業衛生安全、 消防工程、工業安全衛生:化學#137315(25題)
114年 - 114 內科專科醫師甄審試卷 51-100#137314(50題)
114年 - 114 自學進修專科學校畢業程度學力鑑定考試_經法律、會計事務、不動產經營管理、 國際貿易、銀行保險、會計、會計統計、 資訊管理、流通管理、企業管理 :經濟學#137313(50題)
114年 - 114 內科專科醫師甄審試卷 1-50#137312(50題)
114年 - 114 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_核能工程、工業衛生安全、 消防工程、工業安全衛生:物理#137311(25題)
114年 - 114 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_農藝、園藝、森林:植物學#137310(50題)
114年 - 114 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_美容造型設計:色彩學#137309(50題)
114年 - 114 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_飛機工程、輪機工程、車輛工程、農業機械工程:機電整合#137307(50題)
114年 - 114 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_商業設計、室內設計、工業設計:設計史#137306(50題)
114年 - 114 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_中餐廚藝、西點烘焙、餐飲管理、 旅館管理、西餐廚藝:餐旅概論#137304(50題)
最新試題
複選題40.下列有關『預防感電事故發生的作法』之敘述,請問何者是正確的?(A)預防跨步電壓觸電應遠離電線掉落之落電處或導線接地點(B)電線走火時通常使用泡沫滅火器滅火(C)用電設備非帶電體之金屬外殼不需接地(D)在分路裝設漏電斷路器
複選題39.下列各種試驗,請問何種無法測量出三相感應電動機之全部銅損?(A)無載試驗 (B)堵住試驗 (C)滿載試驗 (D)溫度試驗
複選題38.下列有關『直流無刷電動機』之敘述,請問何者是正確的?(A)直流無刷電動機無法避免發生換向火花的問題(B)直流無刷電動機是用電阻元件感測磁場位置(C)直流無刷電動機是利用電晶體作繞組電流的換向(D)直流無刷電動機的轉子是以永久磁鐵構成
最新申論題
(4)負載試驗的目的是測量滿載的_______及電壓的_______ 。
(3)溫升試驗的目的是測量_______的耐溫。
(2)開路試驗的目的是測量激磁導納與 _______。
最新課程
徐喬-經濟學(資料太多優化中)
講師:
【站僕】摩檸Morning.
王立杰-幼稚教育考試精粹
講師:
【站僕】摩檸Morning.
陳萱-公民
講師:
【站僕】摩檸Morning.
最新主題筆記
Test
描述:
Test
憲法-違憲審查
描述:
OneNote 筆記版
經濟-需要彈性
描述:
OneNote 筆記
最新討論
27.Finland is the least densely populated country on the continent and ________ its five million residents enjoy one of the highest standards of living anywhere. (A)alike (B)then (C)thus (D)yet
28.________ most of his time devoted to the extracurricular activities, Allen, one of the gifted students in my class, got only mediocre scores in his major studies. (A)When (B)With (C)Despite (D)Although
29.The witness to the murder asked ________ in the TV news or newspaper. She wanted her name to be kept secret. (A)not to be identified (B)to not be identified (C)not being identified (D)being not identified
35 為避免液化石油氣儲槽因外圍起火燃燒,一時無法撲滅而發生 BLEVE 現象,可採取之防救策略 下列何者正確? (A)槽體附近設置固定式撒水設備降低儲槽溫度 (B)設置防液堤將洩漏之燃料限制於槽體周圍 (C)降低安全閥的壓力設定值,使內壓上升速度增加 (D)減低槽體絕緣層,以避免熱蓄積
32. 矽摻雜銦會造成 (A) n 型半導體 (B) 傳導帶(conduction band)有電洞 (C) 共價帶(valence band)有電洞 (D) 以上皆非
34. (A) (B) (C) (D) 以上三者的混合物