101年 - 101 台灣電力公司_養成班及用人當地化甄試：電子學#24449

科目：台電◆電子學 | 年份：101年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：台電◆電子學

選擇題 (50)

1.將兩個相同頻率響應的單級放大器串接為二級放大器，則頻帶寬度比單級放大器的頻帶寬度： (A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)無法判斷

2.某矽質二極體，在溫度25 °C時的逆向飽和電流為5 nA，若溫度上升至55 °C時，則逆向飽和電流變為多少？ (A)30 nA (B) 40 nA (C) 60 nA (D) 80 nA

3.晶體振盪器的石英晶體之用途為： (A)回授 (B)放大 (C)儲能 (D)穩壓

4.如【圖1】中之電路使用矽質二極體，則V_o為：

(A)16V (B)15.3 V (C)8V (D) 7.65 V

5.如【圖2】之電源供應器，在輸出端可測得E_out應為：

(A)21.21V_dc (B)10.6V_dc (C) 9.54 V_dc (D) 7.5 V_dc

6.下列何種二極體較適合高頻整流用？ (A)—般二極體 (B)蕭特基二極體 (C)變容二極體(D)稽納二極體

7.以三用電表測量一 NPN電晶體之好壞，將電表置於R檔，則下列敘述哪項為正常現象? (A)黑棒接C極且紅棒接B極時導通，反接為導通 (B)黑棒接C極且紅棒接E極時導通，反接為導通 (C)黑棒接C極且紅棒接B極時不導通，反接為導通 (D)黑棒接E極且紅棒接B極時不導通，反接為不導通

8.如【圖3】當V_GS= -5V時，I_DSS=20mA及V_GS(off)=—10 V ,求此偏壓時之R_s值為：

phpJKNVZC

(A) 500 Ω (B) 750 Ω (C) 800 Ω (D) 1000 Ω

9.下列何者是主動元件？ (A)電晶體 (B)電容器 (C)繼電器 (D)電阻器

10. 60 Hz之電源經橋式整流後所得之漣波頻率為： (A) 30 Hz (B) 60 Hz (C) 120 Hz (D) 240 Hz

11 •何種負回授可增加輸出阻抗且降低輸入阻抗？ (A)電壓並聯負回授(B)電流串聯負回授 (C)電流並聯負回授 (D)電壓串聯負回授

12•如【圖4】所示，電晶體

=50，V_Be=0.7 V ’ V_CE(sat₎₌0.2 V，則下列V_B值何者可確保電晶體工作於飽和區？

(A) 0.5 V (B) 1V (C)1.5V (D)2V

13.如【圖5】所示，為DC 12 V繼電器之驅動電路，下列哪項敘述不正確？

(A)繼電器動作時，電晶體必須工作於線性區(B)二極體D為吸收反電動勢，以保護Tt用 (C)繼電器未動作時，NC與COM相通 (D)繼電器動作時，NO將與COM相通

14.如【圖6】之A_v、R_i、R_o分別代表各級放大器之電壓增益、輸入及輸出阻抗，試問整個電路的電壓增益約為？

(A)115 (B) 144 (C) 200 (D) 230

15.如【圖7】所示之電路，下列哪項敘述不正確？

(A)可當作微分器使用 (B)為一高通濾波網路 (C)在頻率無限大時相位移為0度 (D)為一輸出電壓相位落後網路

重新載圖16.如【圖8】所示為鏡像電流源，Q1、Q2是相同電晶體，則I=?

(A) 7.5 mA (B) 7.15 mA (C) 6.8 mA (D) 3.58 mA

17. 二級之積體電路運算放大器，其頻率補償電路跨接何級？ (A)輸出級 (B)輸入級 (C)短路保護電路 (D)偏壓級 .

18.如【圖9】所示為差動放大器，下列哪項敘述不正確？

(A)可變電阻VR的作用為直流平衡調整 (B) V_i2接地，則形成單端輸入雙端輸出差動放大器 (C)VR太大將會使差動增益降低 (D)調整VR對電路之直流平衡點沒有影響

19.如【圖10】所示之低通濾波器中，Ra=6 kQ、Rb=4 kQ、R=1 kQ，若欲使其截止頻率等於 2 kHz，則電容值應選為：

(A)0.12 μF (B) 0.08 μF (C) 0.04 μF (D) 0.026μ F

20•如【圖11】所示為箝位電路，輸出波形V_o之失真原因為：

(A)C之電容太大 (B)電容器耐壓太小 (C)R之阻抗值太小 (D)輸入訊號V_i頻率太高

21.如【圖12】所示為一 B類放大電路，其中電源為±15 V，負載為6Ω (不考慮交叉失真），若輸出為24W，則可能產生的輸出電壓V_o峰值為多少伏特？

(A) 12 V (B) 17 V (C)21 V (D)25V

22.則直流電壓增益V_o/V_i 為(A) -0.01 (B) -100 (C) -200 (D) 200

23.續上題（第22 題），試求轉移函數(transfer function) V_0(s) /V_i(s)為 :

24.則V_o為： (A)8V (B) -8V (C)+15 V (D) -15 V

25.續上題（第24題），若V1=sin(2000

t)V時，則示波器測量到的V₂波形，下列哪項正確？ (A)直流 (B)方波 (C)正弦波 (D)脈波

26.流過D₁的電流大小約為多少？ (A) 12.5 mA (B) 25 mA (C) 50 mA ' (D) 75 mA

27.續上題（第26題），流過R_L的電流大小約為多少？ (A) 12.5 mA (B) 25 mA (C) 50 mA (D)75mA

28.場效電晶體(FET)與電晶體(BJT)比較，場效電晶體(FET)之優點為何？ (A)電壓增益較大 (B)電流增益較大 (C)頻帶寬度較大 (D)輸入阻抗較大

29.—放大器輸出阻抗為5 kΩ，欲使8 Ω的揚聲器能與放大器匹配，則須加變壓器匝數比為： (A)25 (B) 50 (C)75 (D) 100

30.B類放大器的特性為： (A)失真小，效率低(B)失真小，效率高 (C)失真大，效率低 (D)失真大，效率高

31.使用分貝(decibel)係因為： (A)使用方便 (B)增加準確度 (C)低功率 (D)增加靈敏度

32.R-2R梯形網路D/A轉換器的優點是： (A)電路簡單 (B)所需電阻數較少 (C)所需開關數目較少(D)只用兩種電阻

33.電晶體開關OFF時，電晶體相當於進入： (A)飽和區 (B)工作區 (C)截止區 (D)崩潰區

34•如【圖16】電路所示，其矽質電晶體之射極偏壓V_E約為何值？

(A) 11.2 V (B) 12.3 V (C) 13 V (D) 13.2 V

35.變容二極體之電容，常用下列何者來調變？ (A)反向電壓 (B)順向電壓 (C)順向電流 (D)溫度

36. N通道增強型MOSFET的符號為：

37.某一 N通道增強型MOSFET的V_DS=4 V，元件參數K=0.5 mA/V²，臨界電壓V_T=2 V，若元件工作於夾止區且I_D=2 mA，則V_GS為多少？

(A) -2 V (B) +2 V (C) -4V (D) +4 V

38.對於電晶體的三種基本組態而言，下列哪項敘述不正確？ (A)共射極組態功率增益最大 (B)共集極組態常作為阻抗匹配之用 (C)共基極組態中輸出與輸入信號相位差180° (D)共集極組態電壓增益約為1

39.排除控制電路故障，最簡便之檢查儀表為何？ (A)三用電表 (B)電流表 (C)電壓表 (D)高阻計

40.下列措施，何者不能防止靜電對電子元件之破壞？ (A)人員帶接地手環(B)穿平底膠鞋 (C)使用離子吹風機 (D)桌面舖導電性桌墊

41.如【圖17】電路所示，若h_fe=50，h_ie=l kΩ，h_re及h_oe略去不計，則電壓增益約為多少？

(A)—50 (B) -100 (C) -150 (D) -200

42.三用電表的+20 dBm點，係在電壓刻度上的： (A) 7.75 V (B) 1 V (C) 0.775 V (D) 0.707 V

43.如【圖18】所示，運算放大器工作在線性狀態，輸出電壓V。應為：

(A) 3.125 V (B) 4.75 V (C) 6.25 V (D) 7.5 V

44.如【圖19】在製作韋恩電橋振盪器時，若電路無法產生振盪時，應該如何解決？

(A)更換OPA (B)將R₂電阻值調大 (C)將R₂電阻值調小 (D)加大電源電壓

45. μA741運算放大器哪兩隻接腳用於消除抵補電壓的誤差值？ (A)l 與 5 (B)2 與 6 (C)l 與 6 (D)3 與 7

46.由DC電源變換成AC電源，最常用的裝置為： (A)變流器 (B)整流器 (C)倍壓器 (D)濾波器

47•若NPN電晶體工作於工作區，其三端的電壓關係為： (A)Ve>Vb>Vc (B)Vc>Vb>Ve (C)Vb>Vc>Ve (D)Vc>Ve>Vb

48.有一差動放大器，其V_i1=150 μV、V_i2=100 μV、A_d=1000、CMRR=100 >輸出電壓為何？

(A) 50 mV (B) 51.25 mV (C) 70.25 mV (D) 150 mV

49.如【圖20】為N通道MOSFET電晶體，假設其I_D=0.6 mA，V_th=l V，電容值視為無窮大，其小訊號電壓增益V_o/V_i為何？

(A) -2 (B) -4 (C) -6 (D) -12

50.CMOS邏輯1C的正常工作電壓範圍約為多少伏特？ (A) +5 V (B) +12 V (C)±15V (D) 3-15 V

申論題 (0)