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113年 - 113 台灣電力公司_新進僱用人員甄試試題_專業科目 A：電子學#119792

科目：台電◆電子學 | 年份：113年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：台電◆電子學

選擇題 (50)

1. 氮化鎵(GaN)係由氮和鎵所組成之化合物，為使晶體結構中部分的鎵(Ga)原子被其他原子取代 以形成 N 型半導體，可摻雜下列何種材料？ (A)鎘(Cd) (B)鎂(Mg) (C)矽(Si) (D)鋅(Zn)
2. 有關稽納二極體(Zener Diode)之敘述，下列何者有誤？ (A) p-n接面形成較窄之空乏區，而電場強度大 (B)稽納崩潰發生於低逆向偏壓 (C)稽納二極體可用於穩壓器 (D)稽納崩潰逆向偏壓較累增崩潰逆向偏壓大
3. 有一放大器之功率增益為 40 dB，電壓增益為 40 dB，試求電流增益為何？ (A) 1 (B) 10 (C) 100 (D) 1,000
4. 有一全波整流器，輸入訊號為 60 Hz，輸出電壓峰值為 1.5 V，輸出負載為 5 kΩ 及漣波電壓限 制為 0.1 V，試求濾波電容為何？ (A) 2.5 μF (B) 5 μF (C) 25 μF (D) 50 μF
5. 有關箝位器功能之敘述，下列何者正確？ (A)高頻濾波 (B)半波整流 (C)調整直流準位 (D)低頻濾波

6. 有一電路如右圖所示，rπ = 1 k Ω，R = 0.01 k Ω，β = 199，試求輸入 阻抗 Zi 為何？(A) 0.015 kΩ (B) 1.01 kΩ (C) 3 kΩ (D) 21 kΩ

7. 有一電路如右圖所示，下列何者將使 D1 截止、D2 導通？(A) V1 = 0 V，V2 = 0 V (B) V1 = 4 V，V2 = 0 V (C) V1 = 8 V，V2 = 2 V (D) V1 = 8 V，V2 = 8 V

8. 如右圖所示，假設二極體均為理想二極體，試求 Vo 為何？(A) 0 V (B) 4 V (C) 6 V (D) 8 V

9. 有一半波整流電路之負載為電容器，則該電路中二極體之峰值反向電壓(PIV)為何？ (A) Vrms (B) 2Vp (C) (D)

10. 有一電路如右圖所示，已知 ID = 1.2 mA，VG = 0 V，VT = -0.6 V， |VGS- VT| = 0.4 V，試求 R1 為何？ (A) 1 kΩ (B) 2 kΩ (C) 2.67 kΩ (D) 4 kΩ

11. 有一電路如右圖所示，IREF = 0.3 mA，試求 I1 為何？(A) 0.15 mA (B) 0.6 mA (C) 0.9 mA (D) 1.8 mA

12. 有一電路如右圖所示，V1 = 1.5 V，V2 = 2.5 V，V3 = 2 V， R1 = R2 = R3 = 3 kΩ，R4=1 kΩ，試求 Vo 為何？(A) -6 V (B) -3 V (C) -2 V (D) 0 V

13. 有一電路如右圖所示，已知 PMOS 參數VA = 20 V，電晶體 |VA| = 100 V，β = 100，VT = 25 mV，下列何者有誤？(A) ro, PMOS = 20 kΩ (B) ro, BJT = 200 kΩ (C) rπ, BJT = 10 kΩ (D) gm, BJT = 20 mS

14. 有一電路如 右圖所示， VBE = 0.6 V ， β = 99 ， VT = 25 mV ， Vi = 1.6 V，R1 = 10 kΩ，R2 = 100 Ω，試求 rπ 為何？(A) 0.25 kΩ (B) 0.5 kΩ (C) 12 kΩ (D) 32 kΩ

15. 有一共射極(CE)放大器如右圖所示，下列敘述 何者有誤？(A) rπ = (1+β)re (B) Ro1 = Rc‖ro (C) Ro2 = Rc‖ro‖RL (D) Rin = RB1‖RB2‖rπ‖Rsig
16. 有一負回授放大器，其閉迴路增益 Af = 100，開迴路增益 A = 104 ，試求回授因子 β 為何？ (A) 0.0099 (B) 0.099 (C) 0.99 (D) 9.9
17. 有一回授放大器，其開迴路增益 A = 106 ，開迴路頻寬 1 kHz，閉迴路增益 Af = 102 ，試求閉迴路頻寬為何？ (A) 102 kHz (B) 103 kHz (C) 104 kHz (D) 105 kHz
18. 有一差動放大器，其共模拒斥比 CMRR = 80 dB，差模增益 Ad = 100，試求共模增益 Acm 為何？ (A) 10-8 (B) 10-2 (C) 102 (D) 106
19. 有一週期性方波信號，其正峰值電壓為 +8 V，負峰值電壓為 -4 V，此信號平均值為 +0.8 V， 試求工作週期(duty cycle)為何？ (A) 20 % (B) 40 % (C) 60 % (D) 80 %

20. 有一橋式整流器，試求輸出電壓有效值 Vrms 約為平均值 Vav 的幾倍？ (A) (B)(C) (D)
21. 有一理想變壓器之電流增益為 40 dB，試求初級線圈與次級線圈匝數比 (N1：N2) 為何？ (A) 1:1 (B) 1:100 (C) 10:1 (D) 100:1
22. 當 p-n 接面二極體的 p 端接電源的負極，n 端接電源的正極，下列何者正確？ (A)空乏區變寬、障壁電位增加 (B)空乏區變窄、障壁電位增加 (C)空乏區變寬、障壁電位減少 (D)空乏區變窄、障壁電位減少

23. 有一理想放大器如右圖所示，V1 = 3 V，V2 = 9 V，Vo = 9 V， R1 = 8 kΩ，R2 = 3 kΩ，R3 = 6 kΩ，試求 R4 為何？(A) 1 kΩ (B) 2 kΩ (C) 4 kΩ (D) 8 kΩ
24. 有一差動放大器，其共模拒斥比 CMRR = 40 dB，差模增益 Ad = 200，當輸入電壓分別為 vi1 = 35 μV、vi2 = 25 μV 時，下列何者有誤？ (A)差模輸入電壓 Vd=10 μV (B)共模輸入電壓 Vcm = 30 μV (C)共模增益 Acm = 2 (D)輸出電壓 Vo = 1.06 mV

25. 如右圖所示之電路係屬下列何種型態？

(A)積分器 (B)微分器 (C)加法器 (D)變頻器
26. 有關微分器、積分器之敘述，下列何者正確？ (A)方波輸入積分器後之輸出波形為三角波 (B)三角波輸入積分器後之輸出波形為方波 (C)方波輸入微分器後之輸出波形為三角波 (D)三角波輸入微分器後之輸出波形為正弦波
27. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，若 β 參數由 99 變化到 49，則 α 參數之變化為何？ (A)由 0.99 變化到 0.49 (B)由 0.99 變化到 0.98 (C)由 0.97 變化到 0.96 (D)由 0.98 變化到 0.97
28. 有關理想運算放大器之敘述，下列何者有誤？ (A)輸出阻抗無窮大 (B)輸入阻抗無窮大 (C)頻帶寬度無窮大 (D)開迴路電壓增益無窮大

29. 電壓 V(t) = 80 sin(ωt+ 30°) V，週期 T = 0.01 秒，當 t = 0 秒時瞬間電壓為何？ (A) 40 V (B) 50 V (C) 60 V (D) 80 V
30. 雙極性接面電晶體(BJT)可分為 NPN 型及 PNP 型，其基極( B )、集極( C )及射極( E )的摻雜濃度 由大至小依序排列，下列何者正確？ (A) NPN：E ＞ C ＞ B；PNP：E ＞ C ＞ B (B) NPN：B ＞ C ＞ E；PNP：E ＞ B ＞ C (C) NPN：E ＞ B ＞ C；PNP：E ＞ C ＞ B (D) NPN：E ＞ B ＞ C；PNP：E ＞ B ＞ C
31. 有一雙極性接面電晶體(BJT)基本放大電路，若輸出端為射極(E)，則其放大電路組態應為下 列何者？ (A)共集極(CC)組態 (B)共射極(CE)無 RE 組態 (C)共射極(CE)有 RE 組態 (D)共基極(CB)組態
32. 有關雙極性接面電晶體(BJT)之工作模式，下列敘述何者有誤？ (A)作為開關使用，若開關導通(ON)，應工作於飽和區 (B) B-E 接面加逆向偏壓，B-C 接面加順向偏壓時，處於截止區 (C)作為線性放大器使用，應工作於主動區 (D)應用於主動區時，則 B-E 接面加順向偏壓，B-C 接面加逆向偏壓
33. 有一矽二極體在溫度 90 ℃ 時，其逆向飽和電流為 192 nA，若溫度下降至 30 ℃ 時，試求逆向 飽和電流為何？ (A) 3 nA (B) 6 nA (C) 12 nA (D) 24 nA
34. 有一放大電路以中頻段增益為基準，有關其截止頻率之敘述，下列何者有誤？ (A)截止頻率又稱半功率點頻率 (B)截止頻率又稱 -3 dB 點頻率 (C)半功率點是指增益衰減至中頻段增益的一半 (D)截止頻率可分為低頻截止頻率點與高頻截止頻率點
35. 有關場效電晶體(FET)之敘述，下列何者有誤？ (A) MOSFET 的工作模式為歐姆區(三極管區)、夾止飽和區及截止區 (B)可分成傳導載子為電子的 n 通道與傳導載子為電洞的 p 通道 (C) MOSFET 分成沒有預置通道的空乏型與有預置通道的增強型 (D)主要可分成 JFET 及 MOSFET
36. 有關雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)、共集極(CC)及共基極(CB)組態放大電路特性之比較 ，下列何者有誤？ (A)功率增益：CE ＞ CB ＞ CC (B)輸出阻抗：CB ＞ CE ＞ CC (C)輸入阻抗：CC ＞ CE ＞ CB (D)電壓增益：CB ＞ CC ＞ CE
37. 有關場效電晶體(FET)與雙極性接面電晶體(BJT)之比較，下列敘述何者正確？ (A) FET 的輸入阻抗較 BJT 低 (B) BJT 比 FET 適合應用於超大型積體電路 (C) BJT 的熱穩定性較 FET 好 (D) FET 增益與頻寬的乘積較 BJT 小
38. 有關差動放大器增益與共模拒斥比(CMRR)之敘述，下列何者正確？ (A) Acm (共模增益)越大越好 (B) Ad (差模增益)越小越好 (C)理想 CMRR 為無窮大 (D) CMRR 越小越能抑制雜訊
39. 串級放大器相對於單級放大器，有關前者之增益與頻寬，下列敘述何者正確？ (A)增益變大，頻寬變窄 (B)增益變大，頻寬變寬 (C)增益變小，頻寬不變 (D)增益變小，頻寬變窄
40. 下列何者不是達靈頓(Darlington)放大電路之特點？ (A)輸入阻抗高 (B)輸出阻抗低 (C)電流增益高 (D)電壓增益高
41. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，熱電壓 VT = 25 mV，基極直流電 IB = 10 μA， β = 99，試求室溫下交流等效電阻 rπ 為何？ (A) 1 kΩ (B) 2.5 kΩ (C) 5 kΩ (D) 25 kΩ
42. 電晶體共射極放大電路於射極電阻 RE 增加一射極旁路電容 CE，其主要功用為下列何者？ (A)濾波功能 (B)防止直流電通過 (C)防止短路 (D)提高電壓增益
43. 有一 n 通道接面場效電晶體(JFET)之汲極電流 IDSS = 4 mA，其中 VGS(OFF) = ‐4 V，當 JFET 運 作於 VGS = ‐2 V 時，試求順向轉移互導 gm 為何？ (A) 0.5 mƱ (B) 1 mƱ (C) 1.5 mƱ (D) 2 mƱ
44. 有一 n 通道空乏型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)運作於夾止飽和區，其導電參數 K = 0.5 mA/V2，若直流工作點之汲極電流為 ID=8 mA，試求 gm 為何？ (A) 2 mS (B) 4 mS (C) 6 mS (D) 8 mS
45. 在矽半導體材料中摻入五價雜質，其半導體類型、電性及內部多數載子之敘述，下列何者正 確？ (A) p型半導體、正電、電洞 (B) p型半導體、電中性、電洞 (C) n型半導體、負電、電子 (D) n型半導體、電中性、電子
46. 有一 p 通道增強型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)，其參數 K = 0.5 mA ⁄ V2，臨界電壓 VT= -2 V，試求 VGS= -4 V 時，ID 值為何？ (A) 0 mA (B) 2 mA (C) 4.5 mA (D) 6 mA
47. 雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 CC 進入基極， 該電容 CC 之主要功能為何？ (A)阻隔直流 (B)使電流增益變大 (C)阻隔交流信號 (D)使電壓增益變大
48. 有關功率放大器的特性分成 A 類、B 類、AB 類及 C 類，下列敘述何者有誤？ (A) A 類放大器的工作操作點定於負載線中點 (B) B 類放大器的失真程度最小 (C) AB 類放大器的工作操作點介於 A 類及 B 類放大器之間 (D) C 類放大器的工作操作點定於截止區之下
49. 有一雙極性接面電晶體(BJT)，β = 100，已知室溫下熱電壓 VT = 25 mV，若 IC = 0.5 mA，試求該 BJT 之 gm 為何？ (A) 20 mA⁄  V(B) 40 mA⁄  V⁄(C) 60 mA⁄ V(D) 80 mA⁄V
50. 有關振盪器之敘述，下列何者有誤？ (A)石英振盪器是利用晶體本身之壓電效應 (B)一般 RC 相移振盪器所產生的輸出波形為三角波 (C)射頻振盪器一般採用 LC 電路 (D)低頻振盪器一般採用 RC 電路

申論題 (0)