1. 氮化鎵(GaN)係由氮和鎵所組成之化合物，為使晶體結構中部分的鎵(Ga)原子被其他原子取代以形成 N 型半導體，可摻雜下列何種材料？
(A)鎘(Cd)
(B)鎂(Mg)
(C)矽(Si)
(D)鋅(Zn)

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統計： A(1), B(2), C(44), D(3), E(0) #3234757

詳解 (共 1 筆)

四

B1 · 2024/07/28

#6179505

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私人筆記 (共 1 筆)

黃良友

2025/04/28

私人筆記#6918285

未解鎖

本質半導體+三價參雜(碳,磷,砷, 銻,...

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