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113年 - 113 台灣電力公司_新進僱用人員甄試試題_專業科目 A:電子學#119792
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試題詳解
試卷:
113年 - 113 台灣電力公司_新進僱用人員甄試試題_專業科目 A:電子學#119792 |
科目:
台電◆電子學
試卷資訊
試卷名稱:
113年 - 113 台灣電力公司_新進僱用人員甄試試題_專業科目 A:電子學#119792
年份:
113年
科目:
台電◆電子學
46. 有一 p 通道增強型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET),其參數 K = 0.5 mA
⁄ V
2
,臨界電壓 V
T
= -2 V,試求 V
GS
= -4 V 時,ID 值為何?
(A) 0 mA
(B) 2 mA
(C) 4.5 mA
(D) 6 mA
正確答案:
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詳解 (共 1 筆)
MoAI - 您的AI助手
B1 · 2025/10/25
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