102年 - 102 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群資電類_專業科目(一)：電子學、基本電學(重複)#17966

科目：統測◆(一)電子學、基本電學 | 年份：102年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：統測◆(一)電子學、基本電學

選擇題 (50)

1. 將 2 庫倫的正電荷從電位 20V 處移至 100V 處，需花費 10 秒的時間，則其平均功率大小為何？ (A) 32W (B) 20W (C) 18W (D) 16W

2.某蓄電池內部電量原蓄有 200 庫倫，以 5 分鐘的時間將其充電至 800 庫倫，則其平均充電電流大小為何？ (A)8A (B)6A (C)4A (D)2A

3.將 100V 電壓加至某電阻線上，通過之電流為 16A，今若將此電阻線均勻拉長，使長度變為原來的 2 倍，而接至相同的電壓，則通過之電流會變為多少？ (A)4A (B)6A (C)8A (D)10A

4.如圖（一）所示，若 R₁＝4R₂，已知 R₂ 消耗功率為 10W、R₁ 兩端之電壓降為 40V，則 E 之值為何？

(A)50V (B)60V (C)70V (D)80V

5.如圖（二）所示，電路中之 I 值為何？

(A)8A (B)6A (C)2A (D)0A

6.如圖（三）所示，電路中之 30Ω處所消耗之功率為何？

(A)100W (B)120W (C)140W (D)160W

7.如圖（四）所示，電路中 2Ω處所消耗之功率為何？

(A)8W (B)16W (C)24W (D)32W

8.如圖（五）所示，若要使電阻 R 獲得最大功率，則 R 值應為何？

(A)14Ω (B)10Ω (C)6Ω (D)2Ω

9.如圖（六）所示，電路中流經 3Ω之電流大小為何？

(A)8A (B)6A (C)4A (D)2A

10.如圖（七）所示之串並聯電路，其三個電容規格分別為 30μF／100V、60μF／200V 及 30μF／300V，則電路中 E 可加之最大電壓為何？

(A)100V (B)150V (C)200V (D)300V

11. 有一 10Ω 電阻串聯一個 100μF 電容後接上 100V 直流電壓，求電路穩態時，電容儲存的電量與能量分別為何？ (A) 0.01C，0.5J (B) 0.01C，1 J (C) 0.1C，0.5J (D) 0.1C，1J

12.有耦合的兩線圈，線圈 1 與線圈 2 之匝數分別是 100 匝及 200 匝，線圈 1 加入 5 安培電流產生 5 毫韋伯磁通，其中有 4 毫韋伯磁通與線圈 2 交鏈，請問此兩線圈的耦合係數及線圈 2 的自感量分別為何？ (A)0.4，0.8H (B)0.8，0.4H (C)0.6，0.5H (D)0.5，0.6H

13.有一磁路之導磁係數μ＝5＋10^－3 H／m，磁路的截面積為 0.08m² ，磁路的長度為 1m，請問此磁路之磁阻為何？ (A)12500 安匝／韋伯 (B)2500 安匝／韋伯 (C)1250 安匝／韋伯 (D)250 安匝／韋伯

14.如圖（八）所示，若電感在開關 S 閉合前已無儲能，且開關 S 在時間 t＝0 時閉合，請問在 t＝0^＋時電感兩端的電壓及穩態時流過電感的電流大小為何？

(A)0V，2A (B)50V，2A (C)0V，1A (D)50V，1A

15.如圖（九）所示，若開關 S 閉合及開關 S 打開時，則電路的時間常數各為何？

(A)1.6 秒，1.2 秒 (B)3.0 秒，1.2 秒 (C)1.6 秒，2.4 秒 (D)3.0 秒，2.4 秒

16.有一交流電源 v（t）＝100sin（377t－45°）伏特，請問其最大值及一個週期的平均值為何？ (A)100V，63.6V (B)141V，63.6V (C)100V，0V (D)141V，0V

17.有一交流電機，其轉速為每秒 30 轉，若欲產生頻率為 60Hz 之電源，請問此電機的極數為何？ (A)4 極 (B)6 極 (C)8 極 (D)12 極

18.有一 RL 串聯交流電路，R＝10Ω、L＝10mH，電源電壓 v（t）＝150sin（1000t＋30°） V，請問下列敘述何者正確？ (A)電源電流

＝7.5∠15°A (B)電阻器兩端電壓 v_R（t）＝75 √2 sin（1000t－15°）V (C)電源電流I 超前電源電壓V 之相位角 45° (D)總阻抗Z ＝10 √2 ∠－45°Ω

19.有一電阻 R 並聯一電容 C 之交流電路，當加入電源電壓 v（t）＝150sin（1000t－10°） V 時，產生的電源電流為 i（t）＝15 √2 sin（1000t＋35°）A，試求電阻 R 及電容 C 為多少？ (A)R＝100Ω，C＝100μF (B)R＝100Ω，C＝10μF (C)R＝10Ω，C＝100μF (D)R ＝10Ω，C＝10μF

20.如圖（十）所示之 RLC 串並聯交流電路，請問下列敘述何者正確？

(A)總阻抗Z＝ 10∠36.9°Ω (B)電源電流 I ＝10∠－36.9°A (C)ab 兩端電壓 V ab＝60∠53.1°V (D)流經電容器的電流I c＝20∠36.9°A

21.有一交流電路，當加入電源電壓 v（t）＝150sin（377t＋35°）V 時，產生的電源電流為 i（t）＝10sin（377t－25°）A，試求該電源在此電路供給之最大瞬間功率 Pmax及最小瞬間功率 Pmin 為多少？ (A)Pmax＝2250W，Pmin＝－750W (B)Pmax＝1500W，Pmin＝－ 500W (C)Pmax＝1125W，Pmin＝－375W (D)Pmax＝750W，Pmin＝－250W

22.有一單相交流電路，電源電壓為 v（t）＝200sin（300t＋30°）V，負載消耗的平均功率為 4kW，功率因數為 0.8 滯後，若要將電路的功率因數提高至 1.0，則需並聯多少電容量的電容器？ (A)500μF (B)250μF (C)133μF (D)66.6μF

23.有一 RLC 串聯電路，若電源電壓有效值 V＝110V、R＝5Ω、L＝40mH、C＝100μF，試求電路諧振時，電容器兩端的電壓為多少？ (A)440V (B)220V (C)110V (D)55V

24.有一 RLC 並聯電路，若電源電壓有效值 V＝110V、R＝100Ω、L＝40mH、C＝1μF，當電路諧振時，請問下列敘述何者錯誤？ (A)諧振角頻率ω0＝5000rad／sec，功率因數 PF＝1 (B)電源電流 I0＝1.1A，平均功率 P0＝121W (C)流經電感器的電流 IL0＝0.55A，流經電容器的電流 IC0＝0.55A (D)品質因數 Q＝5，頻帶寬度 BW＝159.2Hz

25.如圖（十一）所示之三相電路，若三相發電機以正相序供電給負載，已知電壓有效值

，請問下列敘述何者錯誤？

26.台電所供應之 110V／60Hz 家庭用電，以下何者最可能是其瞬時電壓表示式（單位：伏特）？ (A)110sin（60t） (B)110sin（60πt） (C)110 √2 sin（60πt） (D)110 √2 sin （120πt）

27.在未外加偏壓下，下列有關 PN 接面二極體空乏區的敘述，請問何者錯誤？ (A)所形成的障壁電位，在空乏區 N 側的電位比 P 側的電位高 (B)達到平衡狀態時，在空乏區 P 側中有電洞、在 N 側中有自由電子 (C)在空乏區中，P 側有負離子、N 側有正離子 (D)P、N 兩側空乏區的寬度，其所摻雜的雜質濃度愈高，則該側空乏區的寬度愈窄

28.如圖（十二）之電路，其中稽納電壓 VZ＝6V，且 15mA≦IZ≦90mA 時，稽納二極體才有穩壓作用。若不考慮稽納電阻，在 RS電阻的範圍，何者可使稽納二極體產生穩壓作用？

(A)60Ω≦RS≦120Ω (B)60Ω≦RS≦150Ω (C)50Ω≦RS≦120Ω (D)50Ω≦RS≦ 150Ω

29.全波整流濾波後之輸出電壓波形如圖（十三）所示，其漣波因數百分比γ％約為多少？（ √3 ＝1.73

(A)5.24％ (B)5.77％ (C)6.42％ (D)6.82％

30.如圖（十四）之電路，二極體為理想二極體，則輸入－輸出曲線，下列何者正確？

31.如圖（十五）使用電晶體驅動繼電器的線圈，已知電晶體的β值為 50，而繼電器線圈的電阻值為 100Ω，控制電壓 Vi如圖所示。若電晶體當電子開關使用時，電阻 RB之最大值最接近以下何值？（假設飽和時 VBE（sat）＝0.7V、VCE（sat）＝0.2V）

(A)3.9kΩ (B)4.1kΩ (C)5.0kΩ (D)7.8kΩ

32.有關 NPN 與 PNP 電晶體的特性比較，請問以下敘述何者錯誤？ (A)PNP 電晶體主要是由電洞來傳導、NPN 電晶體主要是由電子來傳導 (B)工作在主動區（工作區）時，不論是 NPN 或 PNP 電晶體，其基極－射極接面都是順向偏壓 (C)現今使用的電晶體大多數為 NPN 電晶體 (D)PNP 電晶體的頻率響應較 NPN 電晶體佳，適合在高頻電路使用

33.如圖（十六）的電路，二極體為理想二極體，若輸入電壓 Vi（t）＝6sin（200πt）伏特，當該電路狀態達穩定後，則輸出之一週期電壓波形，下列何者正確？

34.在偏壓電路的直流工作點，工作溫度改變會造成電晶體β值的變化，下列何者最為穩定不受影響？ (A)固定偏壓電路 (B)集極回授偏壓電路 (C)射極回授偏壓電路 (D) 基極分壓偏壓電路

35.圖（十七）所示之電路，屬於下列何種偏壓電路？

(A)固定偏壓電路 (B)集極回授偏壓電路 (C)射極回授偏壓電路 (D)基極分壓偏壓電路

36.雙極性接面電晶體（BJT）共射極放大器的輸出與輸入信號欲呈現比例放大關係，則應輸入何種信號？ (A)小信號 (B)大信號 (C)直流信號 (D)任意大小信號

37.射極隨耦器，屬於下列何種放大器？ (A)共射極放大器 (B)共集極放大器 (C)共基極放大器 (D)共源極放大器

38.如圖（十八）所示電路，已知電晶體的β＝60，熱電壓 VT＝25mV，則其輸出阻抗 Zo 約為多少？

(A)50Ω (B)100Ω (C)11kΩ (D)11.1kΩ

39.一串級放大電路，已知第一級電壓增益為 20dB，第二級電壓增益為 20 倍，若此串級放大電路輸入電壓 Vi 為 10μV 時，則輸出電壓 Vo 為多少？ (A)200μV (B)400μV (C)2mV (D)4MV

40.將兩個相同的單級低通放大器串接成一個兩級放大器，其頻帶寬度的變化相較於個別單級低通放大器有何不同？ (A)兩級放大器頻帶寬度會不變 (B)兩級放大器頻帶寬度會增加 (C)兩級放大器頻帶寬度會減小 (D)兩級放大器頻帶寬度會隨工作時間先增加再減小

41.增強型 MOSFET 的結構因素會造成臨界電壓 VT值的變化，請問以下何者對其影響最大？ (A)金屬導電層厚度 (B)半導體層的厚度 (C)二氧化矽的厚度 (D)金屬導電層的材質

42.如圖（十九）所示電路，已知 MOSFET 的臨界電壓

(A)0V (B)4V (C)8V (D)12V

43.如圖（二十）所示之場效電晶體（JFET）共源極放大電路，若 JFET 之轉移電導 gm ＝2（mA／V），輸出電阻 rd＝40kΩ，則放大電路的電流增益 Ai＝（io／ii）為多少？

(A) －200 (B)－250 (C)－400 (D)－500

44.如圖（二十一）所示之場效電晶體（JFET）放大器電路，若 JFET 之輸出電阻

可忽略，轉移電導

，則放大器電路的電壓增益

與下列何者最接近？

(A)－3 (B)－5 (C)－7 (D)－10

45.一差動放大器，其兩輸入電壓分別為 Vi1＝55μV，Vi2＝45μV，共模拒斥比 CMRR（dB）＝40dB，差模增益為 Ad＝500，則下列何者正確？ (A)共模增益 Ac＝10 (B)差模輸入電壓 Vd＝5μV (C)共模輸入電壓 Vc＝100μV (D)輸出電壓 Vo＝5.25mV

46.如圖（二十二）所示運算放大器電路，若要設計為非反相加法器使得 Vo＝V1＋V2＋ V3，則電阻 Rf 應為多少歐姆？

(A)5kΩ (B)10kΩ (C)20kΩ (D)30kΩ

47.如圖（二十三）所示之理想運算放大器電路，其中電容 C＝0.5μF，假設初始的電容電選擇建功‧14‧尊榮一生壓為零，電阻 R＝200kΩ，若輸入電壓 Vi（t）＝1V，當開關 SW 在 t＝0 時關上，則在經過 2 秒後，其輸出電壓 Vo（t）應為多少？

(A)20V (B)15V (C)–15V (D)–20V

48.高頻 LC 振盪器的方塊圖如圖（二十四）所示，請問下列敘述何者正確？

(A)當 X1 與 X2 為電容器，X3 為電感器時，此電路稱為哈特萊（Hartley）振盪器 (B)當 X1 與 X3 為電容器，X2 為電感器時，此電路稱為哈特萊（Hartley）振盪器 (C)當 X1 與 X2 為電容器，X3 為電感器時，此電路稱為考畢子（Colpitts）振盪器 (D)當 X1 與 X3 為電容器， X2 為電感器時，此電路稱為考畢子（Colpitts）振盪器

49.如圖（二十五）所示之施密特（Schmitt）觸發電路，若已知電源電壓 VCC＝13V，輸出之正飽和電壓＋Vsat＝12V，負飽和電壓－Vsat＝－12V，Vr＝3V，則各臨界電壓值，下列何者正確？

(A)上臨界電壓 VU＝4.5V (B)上臨界電壓 VU＝12V (C)下臨界電壓 VL ＝3V (D)下臨界電壓 VL＝1／3V

50.如圖（二十六）所示為 555 定時 IC 之多諧振盪器，當按下彈跳開關 SW 後，輸出端需要經過時間 td 後，才能恢復為原先的穩定狀態，據此下列敘述何者正確？

(A)此電路為單穩態多諧振盪器 (B)當電路在穩態時，其輸出電壓為 VCC (C)td≒0.55ms (D)td≒ 1.1ms

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