103年 - 103 中華電信股份有限公司_從業人員(基層專員)遴選_工務類專業職(四)第一類專員：(1)通信系統 (2)電子學#89270

選擇題 (60)

30.發射機之發射功率為 20 瓦特，若發射端的天線增益為 12 dB，纜線接頭等相關的損耗為 5 dB，請問發射端之等效發射功率 EIPR(Equivalent Isotropically Radiated Power)為何？ (A) 20 dBm (B) 32 dBm (C) 43 dBm (D) 50 dBm

31.已知矽在溫度 300 K 時的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration) n_i為 1.5×10¹⁰ cm ⁻³，若摻雜的受體(acceptor) 濃度 n_a為 10¹⁶cm⁻³，則此時少數載子(minority carrier)的濃度為何？ (A) 2.25×10⁴ cm⁻³ (B) 6.67×10⁵ cm⁻³ (C) 1.5×10¹⁰cm⁻³ (D) 1×10 ¹⁶ cm⁻³

32.某 pn 接面二極體在溫度 300 K、逆向偏壓(revers-bias)電壓為 1 V 時的電流為 10⁻¹³ A，則在同樣溫度下、逆向偏壓電壓為 0.5 V 時的電流為何？ (A) 2.5×10⁻¹⁴ A (B) 5×10⁻¹⁴A (C) 10⁻¹³A (D) 2×10⁻¹³ A

33.某一齊納二極體(Zener diode)流過 5 mA 時的跨壓為 3.65 V，若流過 10 mA 時的跨壓為 3.70 V，則其等效串聯電阻(equivalent series resistance)為何？ (A) 0 Ω (B) 10 Ω (C) 370 Ω (D) 730 Ω

34.假設交流電源 v_s= 110sin(2✖ 60t) V，則經半波整流後的平均輸出電壓為何？ (A) 110 V (B) 110 V (C) 110/ π V (D) 110 /π V

35.如【圖 35】所示之二極體截波器(clipper)，若 v_i = 10 sin (2π×60t) V 且 V_B = 8 V，則 v_o的最大值為何？ (A) 0 V (B) 2 V (C) 10 V (D) 18 V

36.根據穩壓率的定義：，若 V_O,nor = 5 V、V_O,max = 5.5 V，請問下列 V_O,min的值符合 5%的穩壓率要求者為何？ (A) 5.0 V (B) 5.1 V (C) 5.2 V (D) 5.3 V

37.在常用的雙極性接面電晶體(BJT)的三個半導體區域內，何者寬度最窄？ (A)射極(emitter, E) (B)基極(base, B) (C)集極(collector, C) (D)不一定

38.某 BJT 的 BE 接面為逆向偏壓、BC 接面為順向偏壓，則該 BJT 的操作模式為： (A)順向作用區(forward active region) (B)截止區(cutoff region) (C)逆向作用區(reverse active region) (D)飽和區(saturation region)

39.某 BJT 的共射極電流增益(common-emitter current gain) β = 99，則其共基極電流增益 (common-base current gain) α為何？ (A) 0.99 (B) 1 (C) 1.01 (D) 100

40.下列四種 TRIAC 的觸發模式中，何者所需的閘極電流為最小？ (A)正端電壓、負閘極電流 (B)正端電壓、正閘極電流 (C)負端電壓、正閘極電流 (D)負端電壓、負閘極電流

41.如【圖 41】所示 BJT 電路，使 V_C約為 2 V 之 R_C值為何？ (A) 1.2 kΩ (B) 1.4 kΩ (C) 1.6 kΩ (D) 1.8 kΩ

42.如【圖 42】所示以分壓器偏壓之 BJT 共射極(common-emitter, CE)放大器，則下列敘述何者錯誤？ (A)計算直流偏壓條件時，C₁與 C₂可視為開路 (B)集極到基極間電壓約等於 1.4 V (C)電壓增益約為−2 倍 (D)基極電流 I_B約等於 4 µA

43.有關 BJT 的共極集(common-collector, CC)放大器，下列敘述何者錯誤？ (A)輸入電阻小、輸出電阻大 (B)又稱為射極隨耦器(emitter follower) (C)適合作為緩衝器(buffer)以提供阻抗匹配(impedance matching) (D)功率增益約等於電流增益

44.如【圖 44】所示以 CC 放大器為主的達林頓對(Darlington pair)放大器，則等效的共射極電流增益β為何？ (A) 50 (B) 150 (C) 5000 (D) 2

45.有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述，下列何者錯誤？ (A)只含一個 pn 接面，是一種單極性元件(unipolar device) (B)控制 pn 接面兩端的偏壓可改變 JFET 的等效電阻 (C)汲極(drain)與源極(source)之間的通道(channel)是主電流流經的路徑 (D)閘極(gate)的半導體材料與通道相同

46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) V_P為−5 V，當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、且 V_GS為一固定值−1 V 時，下列汲-源極電壓，何者可以產生最大的 I_D？ (A) 4 V (B) 3 V (C) 2 V (D) 1 V

47.如【圖 47】所示的 JFET 電路，I_DSS = 12 mA 且 V_P= −3 V，請問下列 R_D值何者可以使該 JFET 操作於夾止區？ (A) 0.9 kΩ (B) 1.1 kΩ (C) 1.3 kΩ (D) 1.5 kΩ

48.有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述，下列何者錯誤？ (A)閘極與半導體通道之間是絕緣的 (B)輸入阻抗非常低 (C)汲極與源極各自連接較高摻雜濃度的半導體材料 (D)空乏型(depletion type) MOSFET 的操作與 JFET 類似

49.一空乏型 NMOSFET 的 I_DSS= 9 mA、V_P = −3 V，當 V_GS = 1 V、V_DS = 4 V 時，I_D值為何？ (A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA

50.一空乏型 NMOSFET 的 I_DSS = 9 mA、V_P = −3 V，當 V_DS= 4 V 時，則 V_GS= 1 V 與−1 V 的 I_D比值為何？ (A) 1 : 1 (B) 16 : 9 (C) 16 : 4 (D) 16 : 1

51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) V_T = 1 V，且在 V_GS = 4 V 時的飽和汲極電流為 9 mA，則 V_GS = 3 V 時的 I_D為何？ (A) 0 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA

52.如【圖 52】所示電路，下列敘述何者錯誤？ (A)此 NMOSFET 永遠操作於三極區 (B)當 V 小於 V_T時，此電路視同開路 (C)此電路經常取代電阻作為負載使用 (D)其小信號等效電阻與直流偏壓電流的平方根成反比

53.在一差動放大器(differential amplifier)中，已知其共模增益(common-mode gain) A_cm=−2×10⁻⁴，共模拒斥比 (common-mode rejection ratio, CMRR)為 100 dB，則差動增益(differential gain) A_d為： (A) 100 (B) 50 (C) 20 (D) 10

54. B 類輸出級(class B output stage)在最大功率損耗時的轉換效率約為： (A) 25% (B) 50% (C) 75% (D) 78.5%

55.有關 AB 類輸出級(class AB output stage)的敘述，下列何者錯誤？ (A)操作模式與 A 類輸出級類似 (B)輸入電壓極小時，兩個電晶體均導通 (C)交越失真(crossover distortion)幾乎可以完全消除 (D)在靜態狀況(quiescent condition)下仍會消耗功率

56.有關各類放大器組態的頻率響應說明，下列何者錯誤？ (A)共源極(common-source, CS)放大器的高頻響應受限於米勒效應(Miller effect) (B)共源極(CS)放大器的頻寬可以藉由增加負載電阻而增加 (C)共基極(common-base, CB)放大器不受米勒效應的影響，因此頻寬較廣 (D)差動放大器的頻寬可以藉由在基極接上電阻而增加

57.下列何者非運用負回授(negative feedback)技巧的好處？ (A)提高增益 (B)調整輸入／輸出阻抗 (C)降低非線性失真 (D)提高訊雜比(signal-to-noise ratio)

58.大型積體電路(large-scale integrated circuit, LSI circuit)所含的邏輯閘數目約為： (A) 10 ~ 100 個 (B) 100 ~ 1000 個 (C) 1000 ~ 10000 個 (D) 10000 個以上

59.在邏輯帶(logic band)區域所定義的四種邏輯準位電壓參數，其間正確的大小關係為： (A) V_OH ＞ V_IH ＞ V_IL＞ V_OL (B) V_OH ＞ V_IH＞ V_OL ＞ V_IL (C) V_IH ＞ V_OH＞ V_IL＞ V_OL(D) V_IH ＞ V_OH ＞ V_OL ＞ V_IL

60.有關 741 運算放大器(op amp)的敘述，下列何者錯誤？ (A)輸入級為差動放大器 (B)電壓增益的主要來源為第二級 (C) AB 類輸出級含有短路保護功能 (D)利用米勒頻率補償技術可將主要極點設計在極高頻處

申論題 (7)

（一）假設 OFDM 系統使用 64 個子載波，但只有 48 個子載波載送資料，其他為導引信號或保護頻段，假設子載波的頻率間距為 312.5 KHz，每個資料子載波使用相同的 16 QAM 調變與 1/2 的編碼率，且為了克服符際干擾（Inter-symbol Interference, ISI）使用了 OFDM 資料訊框長度的 1/4 時間當保護區間（Guard Interval, GI），請計算此 OFDM 系統的資料傳輸率為何？

（二）若為了提升資料傳輸率，將調變改為 64 QAM，編碼率提升到 3/4，並用了 52 個子載波來傳送資料，且 GI 縮短為 OFDM 資料訊框長度的 1/8，且同時在接收與發射端各用兩根天線做獨立的收發（不考慮天線間的干擾），請問調整後之 OFDM 系統的資料傳輸率可提升為何？

（一）請求出所需之最小取樣率為何？

（二）若每一取樣字元可量化為 128 位階之一，請問位元傳輸速率為何？

（三）至少需多大的傳輸頻寬才不會造成符際干擾（ISI）？

題目三：如【圖三】所示之增強型 NMOSFET 偏壓電路，若其操作於夾止區，K = 0.5 mA / V ²、V_T = 3 V，請求出 I_D與汲極電壓 V_D的最大容許交流振幅。

題目四：如【圖四】所示的 BJT 電流鏡(current mirror)，假設 Q₁、Q₂ 為匹配電晶體，請證明：【其中α為共基極電流增益(common-base current gain)】

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