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103年 - 103 台電新進僱用_電子學#22175
科目：
台電◆電子學 |
年份：
103年 |
選擇題數：
50 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
台電◆電子學
選擇題 (50)
1.頻率為 200 MHz 之訊號，其波長為多少？ (A) 0.015 公尺 (B) 0.15 公尺 (C) 1.5 公尺 (D) 15 公尺
2.某一電路的輸入電壓波形方程式為 V(t)＝100 √2 sin(314t + 15°)伏特，則此電路在 t＝1/600 秒 時的電壓值約為？ (A) 141 V (B) 100 V (C) 70.7 V (D) 50 V
3.一原子失去電子後，其游離後將變成？ (A)帶負電的離子 (B)不帶電 (C)可能帶正電亦可能帶負電 (D)帶正電的離子
4.電子層中，每層可容納電子的數目為多少？ (A) 2n
2
(B) n
2
(C) 2n (D) n
5.如【圖 1】所示，若設 D
1
、D
2
皆為理想二極體，試求 V
o
為多少？
(A) 5 V (B) 4 V (C) 3 V (D) 2 V
6.如【圖 2】所示，若稽納二極體之稽納電壓為 10 V，則輸出電壓 V
o
＝？
(A) 12 V (B) 10 V (C) 6 V (D) 2 V
7.對於電晶體(BJT)敘述，下列何者有誤？ (A)射極摻雜濃度最高 (B)作為開關使用時，工作於飽和區或截止區 (C)集極面積寬度最大 (D)射極接地式放大器又稱射極隨耦器
8.如【圖 3】所示，Vi(t)＝10sin(ωt)伏特，稽納二極體之崩潰電壓 V
Z1
＝4 V，V
Z2
＝10 V，順向 電壓降為 0 V，則輸出波形 V
o
(t)約為下列何者？
9.一電源電路之輸出電壓為 10 + 0.1sin(ωt)伏特，則其漣波百分比約為多少？ (A) 0.7 ％ (B) 1.4 ％ (C) 2 ％ (D) 2.8 ％
10.如【圖 4】所示電路，電路輸出 V
o
＝？
(A) 10 √2 V (B) 20 √2 V (C) 30 √2 V (D) 40 √2 V
11.一直流電源其無載電壓為 50 V，內電阻為 2 Ω，滿載提供電流為 5 A，則此電源之電壓調整 率為何？ (A) 10 ％ (B) 15 ％ (C) 20 ％ (D) 25 ％
12.如【圖 5】所示，下列 R
L
與 C 的組合中，何者會使 V
o
的漣波電壓最小？
(A) R
L
=5 kΩ、C=5 μF (B) R
L
=10 kΩ、C=10 μF (C)R
L
=20 kΩ、C=20 μF (D) R
L
=1 kΩ、C=1 μF
13.如【圖 6】所示箝位電路，假設二極體在順向偏壓時其切入電壓(cut-in voltage)可省略不計， 若輸入電壓 V
i
為 20 V
p-p
之方波，則 V
o
輸出波形約為下列何者？
14.關於電晶體三種基本放大電路組態特性比較，下列何者有誤？ (A)共集極功率增益最小 (B)共集極電流增益最小 (C)共集極輸入阻抗最大 (D)共基極輸出阻抗最大
15.下列有關電晶體 α 與 β 關係，何者有誤？ (A) 1/β = 1 - (1/α) (B) 1/α = 1 + (1/β) (C) β = α / (1-α) (D) α = β / (1+β)
16.工作點原在 Q
1
位置，若想修正至 Q
2
位置，則需 (A)增加 R
B
(B)減少 R
B
(C)增加 R
C
(D)減少 R
C
17.承第 16 題，若 V
CC
＝12 V，V
BE
＝0.7 V，β＝100，R
B
＝100 kΩ，R
C
＝400 kΩ，則 I
C
約為？ (A) 2.8 mA (B) 5.6 mA (C) 11.3 mA (D) 15.8 mA(E)無標準解答
18.維持韋恩電橋震盪器工作之電壓增益(A
V
)，最小需要多少？ (A) 3 (B) 2 (C) 1 (D) 0.8
19.如【圖 8】所示，若 V
CE(sat)
=0.2 V，V
BE
=0.7 V、V
i
=2.7 V，則 V
o
約為多少？
(A) 0.7 V (B) 4 V (C) 5 V (D) 2 V
20.如【圖 9】所示之電路，V
CC
＝10 V，R
1
＝R
2
＝100 kΩ，R
C
＝1 kΩ，電晶體為矽質，β＝50， 則其集極與射極之電位差 V
CE
約為？
(A) 3.5 V (B) 4.6 V (C) 5.7 V (D) 6.8 V
21.如【圖 10】所示，若 R=40 Ω，C=8 μF，則濾波器的截止頻率(cut-off frequency)約為？
(A) 200 Hz (B) 300 Hz (C) 400 Hz (D) 500 Hz
22.如【圖 11】所示，若三個電晶體之特性完全相同，其低頻小訊號混合 π 參數的 r
b
=0，r
o
=∞， β=100，r
π
忽略不計，則輸入阻抗為多少？
(A) 0.1 MΩ (B) 1 MΩ (C) 10 MΩ (D) 100 MΩ
23.某一射極耦合電路，其輸入阻抗為 10 kΩ，負載為 10 Ω，電壓增益為 10，則功率增益為多少？ (A) 80 dB (B) 70 dB (C) 60 dB (D) 50 dB
24.下列何者非為變壓器耦合之優點？ (A)具高效率 (B)頻率響應佳 (C)阻抗匹配容易 (D)可隔絕直流
25.下列哪一組數字的顯示，可用來檢查七段顯示器每一段的好壞？ (A) (2,3) (B) (3,9) (C) (4,7) (D) (2,4)
26.如【圖 12】所示，請問其戴維寧等效電阻 R
ab
為？
(A) 0.5 Ω (B) 5 Ω (C) 50 Ω (D) 500 Ω
27.如【圖 13】所示，電路中各電容作用之敘述下列何者有誤？
(A) C1可隔離直流 (B) C2可防止增益衰減 (C) C3可提高電壓增益 (D) C4可消除交流負回授
28.若電晶體 β=60，V
BE
=0.7 V，V
T
=26 mV，η=1，則電晶體的 r
π
為多少？ (A) 6 Ω (B) 60 Ω (C) 0.6 KΩ (D) 6 KΩ
29.承第 28 題，請問電壓增益 V
o
/V
i
為？ (A) 60 (B) 100 (C) -60 (D) -100
30.承第 29 題，請問電流增益 i
o
/i
i
約為？ (A) 53 (B) 63 (C) 73 (D) 83
31.數位電路中的正反器通常是？ (A)單穩態多諧振盪器(B)間歇震盪器 (C)無穩態多諧振盪器 (D)雙穩態多諧振盪器
32.共基極放大器，在室溫 26℃下工作，電壓增益為 13，若直流工作點 I
EQ
＝0.5 mA，則小信號 r
e
電阻為多少歐姆(Ω)？ (A) 52 Ω (B) 26 Ω (C) 13 Ω (D) 26 kΩ
33.Q1 是？ (A) N 通道 JFET (B)增強型N通道MOSFET(C)增強型P通道MOSFET(D) P 通道 JFET
34.承第 33 題，求 ID的電流為多少？ (A) 9 mA (B) 4 mA (C) 8 mA (D) 3 mA
35.某一 JFET 之 I
DSS
＝10 mA，V
gs（OFF）
＝-5 V，試計算在偏壓點 V
gs
＝-2 V 的 g
m
值為何？ (A) 1.2 mS (B) 1.8 mS (C) 2.4 mS (D) 5.6 mS
36. FET 電晶體與 BJT 電晶體兩者比較，下列何者有誤？ (A) FET 易受溫度升高影響 (B) FET 輸入電阻較高 (C) BJT 操作速度較快 (D) FET 為電壓控制，BJT 為電流控制
37.某一 N 通道 JFET 的汲極飽和電流 I
Dss
=27 mA ，汲極電流 I
D
=3 mA。若截止電壓(cut-off voltage) V
gs(off)
= -3 V，則閘源極電壓 V
gs
為多少？ (A) 2 V (B) 1.414 V (C) -2 V (D) 0 V
38.有關 MOSFET 之敘述，下列何者有誤？ (A)閘極與通道間使用二氧化矽以提高絕緣 (B) MOSFET 適於應用在大型積體電路數位系統 (C)空乏型 MOSFET 內部有預設通道 (D)增強型 MOSFET 在 V
gs
＝0 時工作在夾止區
39.如【圖 16】所示，V
DS
＝10V，則 V
GS
＝？
(A) -2.5 V (B) -4.0 V (C) -5.5 V (D) -6.0 V
40.有關理想運算放大器 OPA 之特性描述，下列何者有誤？ (A) 輸入電阻為∞ (B)輸出電阻為 0 (C)共模拒斥比為∞ (D)增益頻寬為 0
41.增強型 MOSFET 之 I
DSS
＝12 mA，g
m
＝3 mS，則 V
DS
＝？ (A) 9 V (B) 11 V (C) 7 V (D) 13 V
42.承第 41 題，若 V
in
＝600 mV，則輸出電壓 D＝？ (A) 600 mV (B) 900 mV (C) 1250 mV (D) 1800 mV
43若欲使該 JFET 工作於飽和區，且汲極電流 I
D
=1mA，則 R
S
為多少？ (A) 3kΩ (B) 4 kΩ (C) 5 kΩ (D) 6.8 kΩ
44.承第 43 題，電壓增益 A
V
=？ (A) -1 (B) -2 (C) -3 (D) -4
45.如【圖 19】所示電路，V
CC
＝±15V，則下列敘述何者有誤？
(A) V
o2
輸出範圍為-3 V 至 3 V (B) β＝0.2 (C)震盪週期為 4 ms (D)震盪頻率為 500 Hz
46.如【圖 20】所示，假設放大器為理想放大器，輸入阻抗 Z
i
為多少？
(A) 4 R (B) 3 R (C) 2 R (D) R
47.一哈特萊震盪器，其震盪線圈 L＝400 μH，若電容可從 400 pF 調至 900 pF，則振盪頻率範圍 約為多少？ (A) 141 Hz～333 Hz (B) 265 kHz～397.5 kHz (C) 1.6 MHz～2.5 MHz (D) 442 GHz～995 GHz
48.如【圖 21】所示電路，其輸出端之工作週期為多少？
(A) 66.7 ％ (B) 50 ％ (C) 33.3 ％ (D) 16.7 ％
49.如【圖 22】所示電路，其輸出電壓 V
o
為何？
(A) -6 V (B) -3 V (C) 3 V (D) 6 V
50.某差動放大器，其共模拒斥比 CMRR＝20 dB，A
d
＝100，假設輸入 V
1
＝10 μV，V
2
＝8 μV， 則輸出電壓 V
o
＝？ (A) 200 μV (B) 245 μV (C) 290 μV (D) 360 μV
申論題 (0)
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(A) 5 V (B) 4 V (C) 3 V (D) 2 V
(A) 12 V (B) 10 V (C) 6 V (D) 2 V
(A) 10 √2 V (B) 20 √2 V (C) 30 √2 V (D) 40 √2 V
(A) RL=5 kΩ、C=5 μF (B) RL=10 kΩ、C=10 μF (C)RL=20 kΩ、C=20 μF (D) RL=1 kΩ、C=1 μF 
(A) 0.7 V (B) 4 V (C) 5 V (D) 2 V
(A) 3.5 V (B) 4.6 V (C) 5.7 V (D) 6.8 V
(A) 200 Hz (B) 300 Hz (C) 400 Hz (D) 500 Hz
(A) 0.1 MΩ (B) 1 MΩ (C) 10 MΩ (D) 100 MΩ
(A) 0.5 Ω (B) 5 Ω (C) 50 Ω (D) 500 Ω
(A) C1可隔離直流 (B) C2可防止增益衰減 (C) C3可提高電壓增益 (D) C4可消除交流負回授
(A) -2.5 V (B) -4.0 V (C) -5.5 V (D) -6.0 V
(A) Vo2輸出範圍為-3 V 至 3 V (B) β＝0.2
(C)震盪週期為 4 ms (D)震盪頻率為 500 Hz
(A) 4 R (B) 3 R (C) 2 R (D) R
(A) 66.7 ％ (B) 50 ％ (C) 33.3 ％ (D) 16.7 ％
(A) -6 V (B) -3 V (C) 3 V (D) 6 V