所屬科目:電子學
三、如圖三之電路,其中 R1 = 200 kΩ,R2 = 60 MΩ,R3 = 12 MΩ,R4= 5 kΩ ,R5=3 kΩ,R6=12 kΩ , C1= 0.05 μF,C2=0.2 μF , C3=20 μF ,NMOS 電晶體 Q1,其 gm=1 mA/V, ro= 100 kΩ,求中帶增益 Am =?(8 分)假設 Q1 之 cgs =1 pF,cgd=0.2 pF ,求此電路之 f H (高頻響應 3 dB 點頻率)=? (Hz) (12 分) (答案計算至小數點第二位以下四捨五入)
五、如圖五為一 CMOS 反相器(inverter)電路,假設 QP 和 QN是匹配的( matched ), 其中 kn' = 320 mA / V2,(W /L) n = 1.2 , VDD=2.0 V ,Vth= 0.55 V ,不考慮 λn , λp 即不考慮 channel length modulation,假設VI從 0 加大電壓到VDD,在什麼VI 值,iDP 或 iDN (iDP=iDN ) 其電流會達到峰值 (peak)?(10 分)其峰值電流為多少(A)?(10 分)(答案計算至小數點第二位以下四捨五入)