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114年 - 02900 視聽電子 甲級 工作項目 03：無線電學 101-150（2025/10/16 更新）#132279

科目：技檢◆視聽電子-甲級 | 年份：114年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆視聽電子-甲級

選擇題 (50)

101. 某一電晶體放大電路，設 Zi＝2.5K 歐姆，hi＝3.2K 歐姆，hr＝1.3×10-4，hf＝100，ho＝7.6×10-6 歐姆，則輸入阻抗 Zi 為 (A)1.13K (B)2.14K (C)3.17K (D)4.51K 歐姆。
102. 欲使矽控整流器(SCR)導通須滿足 (A)工作於逆向偏壓，閘極有負極性電壓 (B)工作於逆向偏壓，閘極有正極性電壓 (C)工作於順向偏壓，閘極有負極性電壓 (D)工作於順向偏壓，閘極有正極性電壓 。
103. 某差動放大器之共模拒斥比 CMRR＝60dB，差模增益 Ad＝150，假設其共模輸入信號 Vc 為 1V 均方根值，則輸出之干擾雜訊的均方根值為 (A)0.15V (B)0.21V (C)0.30V (D)0.42V 。
104. 下列有關緩衝放大器的敘述何者有誤 (A)必須有很高的輸入阻抗 (B)輸出阻抗必須很小 (C)常被用於測量儀器的輸入級 (D)FET 電路中，最常被用為緩衝放大器的是共閘極組態 。
105. 某交流正弦波電源之頻率為 60Hz，正半週平均電壓為 100V，則交流電壓瞬間方程式應接近為 (A)V(t)＝100 Sin 60t (B)V(t)＝141.4 Sin 60t (C)V(t)＝141.4 Sin 377t (D)V(t)＝157.1 Sin 377t 。
106. 設陰極射線管(C.R.T.)垂直偏向靈敏度為 0.05cm/v，若欲設計示波器之垂直測量靈敏度為 0.5cm/mv，則所需的垂直放大倍數應為多少？ (A)40dB (B)60dB (C)80dB (D)100dB 。
107. 欲設計一個非同步 10 模計數器，至少需要幾個正反器？ (A)2 個 (B)4 個(C)6 個 (D)8 個 。
108. 使用 FET 的三節 RC 前引式移相振盪器，已知 R＝10kΩ，C＝0.01μf，求其振盪頻率？ (A)1592Hz (B)1037Hz (C)650Hz (D)389Hz 。
109. 半波整流電路中，若負載為一電容器，則整流二極體所承受之逆向峰值電壓(PIV)為輸入交流電壓有效值的 (A)1.414 倍 (B)1 倍 (C)2.828 倍 (D)2倍 。
110. 使用一交直流電表分別測量一濾波電路的輸出信號，獲得 25V 直流電壓及峰值 EM＝4V 之正弦交流電壓，則漣波百分比為 (A)15.3% (B)11.3% (C)5.3% (D)3.3% 。
111. 在共射極放大器上使用的射極傍路電容器其作用為 (A)防止短路 (B)濾去電源漣波 (C)提高電壓增益 (D)防止直流電通過 。
112. 有關電晶體之偏壓電路的工作點，下列何者受電晶體β值改變之影響最大？ (A)固定偏壓電路 (B)集極回授偏壓電路 (C)自給偏壓電路 (D)射極回授偏壓電路 。
113. 射極隨耦器(E.F.)在電路中，最普遍用法是作為 (A)電流變換 (B)電壓變換(C)功率變換 (D)阻抗變換 。
114. 一般電晶體電路，常在偏壓電路旁附加一與電晶體同一特性之二極體，請問該二極體有何用處 (A)增加增益 (B)補償VBE對溫度之變化 (C)補償ICO對溫度之變化 (D)當回授二極體 。
115. 下列有關共射極組態的矽電晶體特性曲線何者錯誤？ (A)集極特性曲線表示的是 VCE與 IC之間的關係 (B)基極特性曲線表示的是 VCE與 IC之間的關係 (C)繪製集極特性曲線時是以 IC為參考 (D)VCE對 VBE與 IC之間的關係影響不大 。
116. 在共汲(洩)極 MOS FET 電路中若 gm＝1600μU，Rs＝500Ω，則此放大器之增益約為 (A)0.5 (B)0.8 (C)2 (D)4 。
117. 共汲(洩)極放大器(MOS FET)具有下列特性 (A)高輸入阻抗，低輸出阻抗(B)低輸入阻抗，高輸出阻抗 (C)低輸入阻抗，低輸出阻抗 (D)高輸入阻抗，高輸出阻抗 。
118. 某一正弦調變信號將一峰對峰值為 20V 的載波做 70%調幅(AM)，此正弦波形的峰值(EP)為多少 (A)14V (B)20V (C)10V (D)7V 。
119. 555IC 本身電路大致可分成五部份，即上比較器、下比較器、內部正反器、輸出驅動器及下列那一部份 (A)觸發電容 (B)分壓電阻 (C)逆向二極體(D)放電電晶體 。
120. 已知電源電壓為 VDD，且 CMOS IC 之 VIH＝0.7VDD，VI L＝0.3VDD，VOH＝VDD，VOL＝OV，如果該 IC 之工作電壓現為 VDD＝10V，則其雜訊邊界(NOISE MARGIN)為多少？ (A)1.5V (B)2.0V (C)3.0V (D)4.0V 。
121. 用一般的同步示波器觀察一峰對峰值 0.5V、頻率 3KHz 的對稱方波，如果要在螢幕上顯示 2～4 個完整週期，則其掃瞄速度應選擇在何位置？（假設時基微調置於 CAL 位置，而且沒有使用水平擴展） (A)0.1ms/div(B)0.2ms/div (C)0.5ms/div (D)1ms/div 。
122. 有一組三級串接放大電路，其電壓增益分別為：第一級 AV1＝50，第二級 AV2＝40，第三級 AV3＝20，若第一級的輸入電壓 Vi為 10μV，則第三級輸出電壓 V0為何 (A)0.04V (B)0.4V (C)4V (D)40V 。
123. 有關 RLC 串聯電路，下列何者錯誤 (A)若 XL＝XC，則電壓與電流同相 (B)若 XL＝XC，則功率因數為 0.5 (C)若 XL＞XC，則呈電感性電路 (D)若 XL＜XC，則呈電容性電路 。
124. 有一 J-K 正反器在不考慮控制輸入下，欲使其輸出為反態現象( )，則J、K 之輸入為何 (A)J＝1，K＝0 (B)J＝1，K＝1 (C)J＝0，K＝0 (D)J＝0，K＝1 。
125. 有一負載電阻 600Ω，以三用電表測得 20dBm，則負載電壓為多少？ (A)0.775V (B)0.0675V (C)0.575V (D)7.75V 。
126. 一功率電晶體，其工作點之電壓，VCEQ＝20V，工作點電流 ICQ＝10mA，若熱阻 QSA＝14°C/W，QJC＝25°C/W，QCS＝16°C/W，而周圍溫度為 24℃，則電晶體的接面溫度 TJ 約為 (A)30℃ (B)35℃ (C)40℃ (D)45℃ 。
127. 有一放大器的信號主波為 1V，二次諧波為 30mV，三次諧波為 40mV（以上電壓值均為有效值），若四次以上諧波失真可忽略，則此放大器的總諧波失真為 (A)0.01 (B)0.02 (C)0.05 (D)0.5 。
128. 有一Ａ類變壓器耦合放大器，若 ＝20V，變壓器線圈是 5：1，喇叭輸入阻抗為 8Ω，則最大輸出功率為 (A)0.1W (B)0.5W (C)0.25W (D)2W 。
129. 下列何者不是理想運算放大器應具有之特性？ (A)CMRR=∞ (B)Ri=∞ (C)RO=∞ (D)BW=∞ 。
130. 有一電容器其 C=0.2F，兩端之電壓為 V=5sin4t，試求流經電容之電流為何？ (A)sin4t (B)4sin4t (C)cos4t (D)4cos4t 。
131. R 為電阻，C 為電容，則 RC 的單位為何？ (A)亨利 (B)秒 (C)法拉 (D)歐姆 。
132. 下圖所示電路中，a、b 兩端等效電阻 Rin為
(A)4 (B)5 (C)10 (D)1 Ω。
133. 下圖所示電路中，a、b 兩端戴維寧等效電壓為
(A)10 (B)5 (C)0.1 (D)0 伏特。
134. 當二極體的雜質濃度降低時下列何者不正確？ (A)空乏電容降低 (B)切入電壓降低 (C)反向飽和電流增加 (D)空乏電容增加 。
135. 實驗係數η=1.5 的矽二極體，若電流由 0.1mA 變化至 10mA，則電壓變化量為何？ (A)185mA (B)173mA (C)164mA (D)156mA 。
136. 若矽二極體在反向偏壓區內飽和電流是 0.1μA(T=20℃) ，當溫度升高至40℃時飽和電流是 (A)0.2μA (B)0.4μA (C)0.6μA (D)0.8μA 。
137. 變容二極體之敘述下列何者為正確？ (A)用於自動頻率控制 (B)多用於順偏 (C)用於自動增益控制 (D)漏電流小 。
138. 如下圖所示電路，若 ND1=ND2，NA1＞NA2當累增崩潰發生時，Vp 可使兩個二極體同時崩潰，則 V1 和 V2 之關係為何？
(A)V1＞V2 (B)V1=V2 (C)V1＜V2 (D)未定 。
139. 如下圖所示電路，假設為理想二極體，當 V1=-5V 時 Vo 為
(A)-3 (B)-5 (C)5 (D)3 V。
140. 理想全波整流器輸入電壓為 V(t)=2+3sin2t+cost V 則輸入電壓之有效值為 (A)3V (B)6V (C)5V (D)9V 。
141. 雙極性電晶體之結構可視為由何種接面組成 (A)基－射接面 (B)集－射接面 (C)集－基接面 (D)基－射接面及集－基接面 。
142. 當 BJT 之 B-E 接面為順偏，B-C 接面為順偏時，此 BJT 是操作再何種模式 (A)順向作用 (B)反向作用 (C)截止區 (D)飽和區 。
143. 有關 BJT 和 FET 的比較，以下敘述何者不正確？ (A)在積體電路的製造上，BJT 比 FET 佔較大的空間 (B)BJT 和 FET 都是電壓控制的電流源 (C)作為放大器 FET 比 BJT 產生的雜訊低 (D)BJT 是雙載子元件，而 FET 為單載子元件 。
144. 共射極組態電晶體電路之α值有 0.04 的變動量(範圍為 0.99-0.95)，則β的變動量為 (A)110 (B)99 (C)80 (D)19.8 。
145. 如下圖所示電路，Q 作為開關用，並以 LED 顯示 ON/OFF 狀態，若 LED壓降為 2V，=0.2V，求 為
(A)3.2 (B)6.4 (C)4.8 (D)9.4 mA。
146. 如下圖所示電路，已知電晶體βVCEO=-6v，βVCBO=-70V 時，Vo 為
(A)30 (B)94 (C)70 (D)6V 。
147. 在魏德勒電流源如下圖所示電路中，若 Vcc=30V，R=29.3KΩ，VBE1=0.7V，忽略IB求 IC2=10μA 時，R2值為
(A)8k (B)11.5k (C)16.5k (D)21k Ω。
148. 有關 BJT 放大器之三種組態，以下敘述何者不正確 (A)CB 失真最小，高頻響應佳 (B)CC 當緩衝器使用，避免負載效應 (C)輸出電阻 Ro 而言 CC＞CE＞CB (D)電壓增益 AV而言 CE＞CB＞CC 。
149. 有關達靈頓電路的特性下列何者不正確 (A)是由共集 CC 和共集 CC 電晶體所串接而成 (B)輸入阻抗很高 (C)輸出阻抗很低 (D)電壓增益很大 。
【已刪除】150. (本題刪題)如下圖所示電路，已知 Q1 和 Q2 電晶體相同，二者所處之環境也相同，皆工作於線性區時，此二電晶體的 hie參數大小關係為
(A)Q1＞Q2 (B)Q1=Q2 (C)Q1＜Q2 (D)不一定 。

申論題 (0)