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114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 03：零組件知識 1-33（2025/11/04 更新）#133277

科目：技檢◆儀表電子-甲級 | 年份：114年 | 選擇題數：33 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆儀表電子-甲級

選擇題 (33)

1. 下列元件何者可做為小電力轉換大電力之用？ (A)水泥電阻 (B)鋁質電解電容器 (C)輸出變壓器 (D)矽控整流器 。
2. 下列何者不是陶瓷電容器的種類之一？ (A)低電介質常數型 (B)中電介質常數型 (C)高電介質常數型 (D)半導體型 。
3. 低電介質常數型的陶瓷電容器，可與下列何種電容器組合，做成溫度係數為零的超精密電容器？ (A)塑膠電容器 (B)紙質電容器 (C)雲母電容器 (D)電解電容器 。
4. 下列何者為快速恢復二極體的逆向恢復時間？ (A)10ns 以下 (B)200ns～5μs (C)5μs～20μs (D)20μs～100μs 。
5. 下列何者為雙向觸發二極體(DIAC)的觸發轉態電壓？ (A)5V～10V (B)10V～20V (C)25V～35V (D)40V～60V 。
6. 下列何者為蕭特基(Shockley)二極體的典型順向電壓降？ (A)0.2V～0.5V(B)0.5V～2V (C)2V～2.4V (D)2.5V～3V 。
7. 矽控整流器(SCR)的閘極觸發脈波寬度若小於下列何者時，將無法觸發矽控整流器進入導通狀態？ (A)1ms (B)100μs (C)10μs (D)1μs 。
8. 下列何者無法使矽控開關(SCS)截止？ (A)陽極電流降至 Ih值以下 (B)加負脈波到陰極閘 (C)加負脈波到陽極閘 (D)加正脈波到陽極閘 。
9. 下列 IC 包裝，何者並非表面黏著元件(SMD)型式？ (A)PLCC (B)BGA (C)QFP (D)PGA 。
10. 下列何種可變電阻器其電阻值變化與轉軸之旋轉角度成反對數關係？ (A)A型 (B)B 型 (C)C 型 (D)D 型 。
11. 下列何者為一般 24ψ和 18ψ之可變電阻器的額定功率？ (A)1W (B)500mW(C)250mW (D)100mW 。
12. 當電晶體之集射極互換後，下列敘述何者為錯誤？ (A)放大率下降 (B)崩潰電壓下降 (C)失真度不變 (D)開關速度變慢 。
13. 當溫度每升高 1℃時，MOSFET 之 VT值的變化下列何者為正確？ (A)－2～－5mV (B)＋2～＋5mV (C)－6～－10mV (D)＋6～＋10mV 。
14. 在一定電流下，溫度每升高 1℃時，矽二極體兩端壓降的變化約為下列何者？ (A)＋2mV (B)＋4mV (C)－2mV (D)－4mV 。
15. 在一定電流下，溫度每升高 1℃時，矽電晶體的 VBE變化約為下列何者？(A)－2mV (B)－4mV (C)＋2mV (D)＋4mV 。
16. 設某一電晶體在室溫下之 ICBO為 50nA，則當溫度升高 10℃後，其 I 之值變成下列何者？ (A)50nA (B)100nA (C)150nA (D)200nA 。
17. 設某一電晶體在室溫下之 ICBO為 6μA，則當溫度升高 10℃後，其 ICEO之值變成下列何者？ (A)3μA (B)6μA (C)12μA (D)18μA 。
18. 砷化鎵(GaAs)元件與相對應的矽元件相比較，下列敘述何者為錯誤？ (A)砷化鎵元件有較高的輸出電流 (B)砷化鎵元件有較高的ｇm(C)砷化鎵元件有較高的操作速度 (D)砷化鎵元件有較高的電洞漂移移動率(mobility) 。
19. 下列對理想運算放大器的說明何者為錯誤？ (A)輸入、輸出阻抗為無限大(B)共模拒斥比為無限大 (C)開迴路增益為無限大 (D)可放大之信號頻率為從零到無限大 。
20. 下列對蕭基位障二極體(Schottky barrier diode，SBD)之描述何者為錯誤？ (A)電流由電子傳導 (B)交換速度比 PN 接面二極體快 (C)順偏壓降會比PN 接面二極體低 (D)僅由砷化鎵(GaAs)製成 。
21. 設 td表電晶體輸入改變狀態與輸出開始響應的延遲時間，ts表電晶體的儲存時間，tr表電晶體的上升時間，tf表電晶體的下降時間，則對電晶體從OFF 到 ON 狀態所須的時間 ton之說明下列何者為正確？ (A)ton=tr+td(B)ton=tr+ts(C)ton=tr+tf(D)ton=ts+tf。
22. 設 td表電晶體輸入改變狀態與輸出開始響應的延遲時間，ts表電晶體的儲存時間，tr表電晶體的上升時間，tf表電晶體的下降時間，則對電晶體從ON 到 OFF 狀態所須的時間 toff之說明下列何者為正確？ (A)toff=tr+td(B)toff=tr+ts(C)toff=tr+tf(D)toff=ts+tf。
23. 若 fs 與 fp 分別為石英晶體之串聯與並聯諧振頻率，則在下列何種頻率 f之下，石英晶體呈現電感性？ (A)f＜fs (B)f＞fp (C)fs＜f＜fp (D)fp＜f＜fs 。
24. 具有閘極端點的光 SCR，下列敘述何者錯誤？ (A)可用電脈衝觸發 (B)可用光來觸發 (C)閘極與陰極間加上愈低的電阻值，則其對光的靈敏度愈高 (D)用光及電脈衝皆可觸發 。
25. 有關蕭特基二極體(Schottky Diode)的敘述，下列何者錯誤？ (A)又稱熱載子二極體 (B)N 型材料邊為其陰極，而金屬邊為其陽極 (C)不用少數載子，而僅以多數載子來工作 (D)可做快速切換，用於高頻 。
26. 有關變容二極體(Varactor Diode)的敘述，下列何者錯誤？ (A)逆向電壓愈高，其電容量愈小 (B)又稱為可變電抗二極體 (C)主要用於調諧電路 (D)是利用二極體的擴散電容效應，所做出的元件 。
複選題
27. 下列哪些三接腳電子元件，其符號標示為 A，K 及 G？ (A)UJT (B)SBS (C)SCR (D)SUS 。
複選題
28. 固態繼電器(SSR)的特點，下列哪些敘述正確？ (A)做為開關時，可以用來控制直流 (B)是一種接點式的交流控制開關 (C)使用半導體切換，不會產生火花 (D)可應用於介面電路上，具有良好的隔離作用 。
複選題
29. 下列哪些文字被用來標示電容的容許誤差？ (A)I (B)J (C)K (D)L 。
複選題
30. 使用數位 IC 時，在考慮介面間的處理，若以電壓為主的邏輯準位考量，下列哪些敘述正確？ (A)VOH＞VIH(B)VOL＜VIL(C)VOH＜VIH(D)VOL＞VIL。
複選題
31. 鉭質電容器的特性，下列哪些描述正確？ (A)介電係數高 (B)電容元件體積小 (C)為無極性電容器 (D)普遍耐壓值較高 。
複選題
32. 陶瓷電容器的特性，下列哪些描述正確？ (A)電容值較小 (B)常使用於高頻電路 (C)為無極性電容器 (D)電容元件體積大 。
複選題
33. 對於變容二極體(Varactor Diode)的敘述，下列哪些正確？ (A)工作在逆向偏壓 (B)改變空乏區大小，電容量也改變 (C)電容量與逆向偏壓成正比關係(D)可用於調變頻率 。

申論題 (0)