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技檢◆儀表電子-甲級
> 114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 03:零組件知識 1-33(2025/11/04 更新)#133277
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 03:零組件知識 1-33(2025/11/04 更新)#133277
科目:
技檢◆儀表電子-甲級 |
年份:
114年 |
選擇題數:
33 |
申論題數:
0
試卷資訊
所屬科目:
技檢◆儀表電子-甲級
選擇題 (33)
1. 下列元件何者可做為小電力轉換大電力之用? (A)水泥電阻 (B)鋁質電解電容器 (C)輸出變壓器 (D)矽控整流器 。
2. 下列何者不是陶瓷電容器的種類之一? (A)低電介質常數型 (B)中電介質常數型 (C)高電介質常數型 (D)半導體型 。
3. 低電介質常數型的陶瓷電容器,可與下列何種電容器組合,做成溫度係數為零的超精密電容器? (A)塑膠電容器 (B)紙質電容器 (C)雲母電容器 (D)電解電容器 。
4. 下列何者為快速恢復二極體的逆向恢復時間? (A)10ns 以下 (B)200ns~5μs (C)5μs~20μs (D)20μs~100μs 。
5. 下列何者為雙向觸發二極體(DIAC)的觸發轉態電壓? (A)5V~10V (B)10V~20V (C)25V~35V (D)40V~60V 。
6. 下列何者為蕭特基(Shockley)二極體的典型順向電壓降? (A)0.2V~0.5V(B)0.5V~2V (C)2V~2.4V (D)2.5V~3V 。
7. 矽控整流器(SCR)的閘極觸發脈波寬度若小於下列何者時,將無法觸發矽控整流器進入導通狀態? (A)1ms (B)100μs (C)10μs (D)1μs 。
8. 下列何者無法使矽控開關(SCS)截止? (A)陽極電流降至 I
h
值以下 (B)加負脈波到陰極閘 (C)加負脈波到陽極閘 (D)加正脈波到陽極閘 。
9. 下列 IC 包裝,何者並非表面黏著元件(SMD)型式? (A)PLCC (B)BGA (C)QFP (D)PGA 。
10. 下列何種可變電阻器其電阻值變化與轉軸之旋轉角度成反對數關係? (A)A型 (B)B 型 (C)C 型 (D)D 型 。
11. 下列何者為一般 24ψ和 18ψ之可變電阻器的額定功率? (A)1W (B)500mW(C)250mW (D)100mW 。
12. 當電晶體之集射極互換後,下列敘述何者為錯誤? (A)放大率下降 (B)崩潰電壓下降 (C)失真度不變 (D)開關速度變慢 。
13. 當溫度每升高 1℃時,MOSFET 之 VT值的變化下列何者為正確? (A)-2~-5mV (B)+2~+5mV (C)-6~-10mV (D)+6~+10mV 。
14. 在一定電流下,溫度每升高 1℃時,矽二極體兩端壓降的變化約為下列何者? (A)+2mV (B)+4mV (C)-2mV (D)-4mV 。
15. 在一定電流下,溫度每升高 1℃時,矽電晶體的 V
BE
變化約為下列何者?(A)-2mV (B)-4mV (C)+2mV (D)+4mV 。
16. 設某一電晶體在室溫下之 I
CBO
為 50nA,則當溫度升高 10℃後,其 I 之值變成下列何者? (A)50nA (B)100nA (C)150nA (D)200nA 。
17. 設某一電晶體在室溫下之 I
CBO
為 6μA,則當溫度升高 10℃後,其 I
CEO
之值變成下列何者? (A)3μA (B)6μA (C)12μA (D)18μA 。
18. 砷化鎵(GaAs)元件與相對應的矽元件相比較,下列敘述何者為錯誤? (A)砷化鎵元件有較高的輸出電流 (B)砷化鎵元件有較高的g
m
(C)砷化鎵元件有較高的操作速度 (D)砷化鎵元件有較高的電洞漂移移動率(mobility) 。
19. 下列對理想運算放大器的說明何者為錯誤? (A)輸入、輸出阻抗為無限大(B)共模拒斥比為無限大 (C)開迴路增益為無限大 (D)可放大之信號頻率為從零到無限大 。
20. 下列對蕭基位障二極體(Schottky barrier diode,SBD)之描述何者為錯誤? (A)電流由電子傳導 (B)交換速度比 PN 接面二極體快 (C)順偏壓降會比PN 接面二極體低 (D)僅由砷化鎵(GaAs)製成 。
21. 設 t
d
表電晶體輸入改變狀態與輸出開始響應的延遲時間,t
s
表電晶體的儲存時間,t
r
表電晶體的上升時間,t
f
表電晶體的下降時間,則對電晶體從OFF 到 ON 狀態所須的時間 t
on
之說明下列何者為正確? (A)t
on
=t
r
+t
d
(B)t
on
=t
r
+t
s
(C)t
on
=t
r
+t
f
(D)t
on
=t
s
+t
f
。
22. 設 t
d
表電晶體輸入改變狀態與輸出開始響應的延遲時間,t
s
表電晶體的儲存時間,t
r
表電晶體的上升時間,t
f
表電晶體的下降時間,則對電晶體從ON 到 OFF 狀態所須的時間 t
off
之說明下列何者為正確? (A)t
off
=t
r
+t
d
(B)t
off
=t
r
+t
s
(C)t
off
=t
r
+t
f
(D)t
off
=t
s
+t
f
。
23. 若 fs 與 fp 分別為石英晶體之串聯與並聯諧振頻率,則在下列何種頻率 f之下,石英晶體呈現電感性? (A)f<fs (B)f>fp (C)fs<f<fp (D)fp<f<fs 。
24. 具有閘極端點的光 SCR,下列敘述何者錯誤? (A)可用電脈衝觸發 (B)可用光來觸發 (C)閘極與陰極間加上愈低的電阻值,則其對光的靈敏度愈高 (D)用光及電脈衝皆可觸發 。
25. 有關蕭特基二極體(Schottky Diode)的敘述,下列何者錯誤? (A)又稱熱載子二極體 (B)N 型材料邊為其陰極,而金屬邊為其陽極 (C)不用少數載子,而僅以多數載子來工作 (D)可做快速切換,用於高頻 。
26. 有關變容二極體(Varactor Diode)的敘述,下列何者錯誤? (A)逆向電壓愈高,其電容量愈小 (B)又稱為可變電抗二極體 (C)主要用於調諧電路 (D)是利用二極體的擴散電容效應,所做出的元件 。
複選題
27. 下列哪些三接腳電子元件,其符號標示為 A,K 及 G? (A)UJT (B)SBS (C)SCR (D)SUS 。
複選題
28. 固態繼電器(SSR)的特點,下列哪些敘述正確? (A)做為開關時,可以用來控制直流 (B)是一種接點式的交流控制開關 (C)使用半導體切換,不會產生火花 (D)可應用於介面電路上,具有良好的隔離作用 。
複選題
29. 下列哪些文字被用來標示電容的容許誤差? (A)I (B)J (C)K (D)L 。
複選題
30. 使用數位 IC 時,在考慮介面間的處理,若以電壓為主的邏輯準位考量,下列哪些敘述正確? (A)V
OH
>V
IH
(B)V
OL
<V
IL
(C)V
OH
<V
IH
(D)V
OL
>V
IL
。
複選題
31. 鉭質電容器的特性,下列哪些描述正確? (A)介電係數高 (B)電容元件體積小 (C)為無極性電容器 (D)普遍耐壓值較高 。
複選題
32. 陶瓷電容器的特性,下列哪些描述正確? (A)電容值較小 (B)常使用於高頻電路 (C)為無極性電容器 (D)電容元件體積大 。
複選題
33. 對於變容二極體(Varactor Diode)的敘述,下列哪些正確? (A)工作在逆向偏壓 (B)改變空乏區大小,電容量也改變 (C)電容量與逆向偏壓成正比關係(D)可用於調變頻率 。
申論題 (0)