97年 - 97 二技統測_電機類、電子類_專業科目(一)：電子學與電路學#18989

科目：統測◆(一)電子學、基本電學 | 年份：97年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：統測◆(一)電子學、基本電學

選擇題 (40)

複選題
1. 下列對接面場效電晶體 ( JFET ) 的描述，何者有誤？ (A) JFET 有兩個閘極 ( Gate ) 和一個汲極 ( Drain ) 以及一個源極 ( Source )，共四個端點 (B) JFET 的轉導 ( Transconductance ) gm定義為

，當 VDS為定值時；其中 ID為汲極 ( Drain ) 電流，VGS為閘極 ( Gate ) – 源極 ( Source ) 電壓 (C) 正常操作時，N 通道 JFET 的電流是由源極 ( Source ) 到汲極 ( Drain ) (D) 正常操作時，P 通道 JFET 的電流是由源極 ( Source ) 到汲極 ( Drain )

2. 下列對斷路 PN 接面之描述，何者有誤？ (A) 形成之障壁電壓 ( Barrier Potential ) 可以用伏特計 ( Voltage Meter ) 量測得到 (B) N 型區域之多數載子 ( Majority ) 為電子，會向 P 型區域方向擴散；反之 P 型區域之多數載子 ( Majority ) 為電洞，會向 N 型區域方向擴散 (C) 電子與電洞之擴散移動會在接面處形成一個空乏區 ( Depletion Region ) (D) 少數載子之移動形成漂移電流 ( Drift Current )，多數載子之移動形成擴散電流 ( Diffusion Current )

3. 下列對於半導體的敘述，何者正確？ (A) 純的 4 價元素矽(Si)和鍺(Ge)皆是本質半導體 ( Intrinsic Semiconductor ) (B) 將 5 價元素磷(P)或砷(As)加入一本質半導體可以將此本質半導體改變為 P 型外質半導體 ( Extrinsic Semiconductor ) (C) N 型半導體中的多數載子 ( Majority Carrier ) 為電洞 (D) 在摻有硼( B )的半導體中，硼( B )扮演的角色是施體 ( Donor )

4. 下列對於一些特殊的二極體應用，何者有誤？ (A) 發光二極體 ( Light-Emitting Diode, LED ) 的發光是利用一個摻雜有砷(As)或鎵(Ga) 等材料之二極體，加上順向偏壓使其電能轉為光能及熱能 (B) 稽納二極體 ( Zener Diode ) 當穩壓電路使用時是操作在順向偏壓 (C) 變容二極體 ( Varactor Diode ) 因是利用空乏區 ( Depletion Region ) 的電容大小會隨外加電壓改變的特性，而應用於通信用途的電路中 (D) 肖特基二極體 ( Schottky Diode ) 因為其障壁電壓較小，可應用於高頻電路中

5. 在 npn 雙載子接面電晶體 BJT 中通常那一極之濃度最高？ (A) E (B) C (C) D (D) B

6. 下列對於 BJT 電晶體與 MOSFET 電晶體的敘述，何者有誤？ (A) BJT 電晶體為雙極性 ( Bipolar ) 電晶體 (B) BJT 電晶體為一種電壓控制元件，MOSFET 電晶體為一種電流控制元件 (C) MOSFET 電晶體為單極性 ( Unipolar ) 電晶體 (D) BJT 電晶體的輸入阻抗比 MOSFET 電晶體的輸入阻抗小

7. 下列答案對於圖(一)之敘述，何者有誤？

(A) 這個電路為一個反向器 ( Inverter ) (B) 實現這個電路需要用 CMOS 製程技術 (C) 此電路接地之電晶體為 NMOS (D) 輸出點 Vout為兩個電晶體 ( PMOS & NMOS ) 的源極 ( Source )

8. 如圖(二)所示之電路，稽納 ( Zener ) 二極體之崩潰電壓 VZ = 16 V，試求此稽納二極體之消耗功率？

(A) 8 mW (B) 6.4 mW (C) 10 mW (D) 近乎 0 W

9. 下列對於一個 BJT 電晶體之操作敘述，何者有誤？ (A) BJT 當作開關使用且處於開路，此時 BJT 是操作於截止區 ( Cut Off Region ) (B) BJT 當訊號放大器使用時是工作於主動區 ( Active Region ) (C) BJT 操作於主動區( Active Region ) 時的偏壓方式是，B-E 介面順向偏壓( Forward Bias )， B-C 介面逆向偏壓 ( Reverse Bias ) (D) BJT 操作於飽和區( Saturation Region )時的偏壓方式是，B-E 介面逆向偏壓( Reverse Bias )， B-C 介面逆向偏壓 ( Reverse Bias )

10. 如圖(三)所示之電路。雙極性電晶體具有以下之規格：最大額定功率 P_D(max) = 1 W， V_BE(max) = 0.7 V，V_CE(max) = 15 V，β = 100 和 I_C(max)= 200 mA。下列敘述何者有誤？

(A) I_B = 0.1 mA，I_C = 10 mA (B) 若電晶體操作在 V_CE = V_CE(max)之情形下，此時電晶體功率消耗未超過額定值 (C) 此電路之 V_CC最大可以為 30 V (D) 若 VCC = 20 V，此電路之電晶體處於主動區 ( Active Region ) 工作狀態

11. 下列何者不是理想運算放大器之特性？ (A) 輸入阻抗無限大 (B) 有虛擬接地 ( Virtual Ground ) 現象 (C) 輸出阻抗無限大 (D) 開迴路電壓增益無限大

12. 如圖(四)所示之電路，當二極體順向偏壓降為 0.7 V， V_R1 = 2 V 時，試求此電路中的電壓源電壓 Vi？

(A) 10 V (B) 4 V (C) 2.7 V (D) 1.3 V

13. 圖(五)之電路是下列何種型態的電路？(A) 加法器 (B) 積分器 (C) 微分器 (D) 反相器

14. 承第 13 題，此電路可形成何種濾波器？ (A) 低通濾波器 ( Low Pass Filter, LPF ) (B) 高通濾波器 ( High Pass Filter, HPF ) (C) 帶通濾波器 ( Band Pass Filter, BPF ) (D) 帶拒濾波器 ( Band Reject Filter, BRF )

15. 如圖(六)所示電路中，假設 D 為一理想二極體，Vi(t) 為一個弦波輸入，V_R> 0，則其輸出波形 Vo(t) 應該最接近下列何者？

16. ，試求流過電阻 R 的電流 I_R？ (A) 5 mA (B) 0.5 mA (C) 2 mA (D) 2.5 mA

17. 承第 16 題，V_out之輸出電壓為何？ (A) 2.5 V (B) 1 V (C) 5 V (D) 0 V

18. 對 CMOS 四個英文縮寫字母的涵意說明，下列何者有誤？ (A) C ( Complementary ) 是指「互補」之意 (B) M ( Memory ) 是指「記憶體」之意 (C) O ( Oxide ) 是指「氧化物」之意 (D) S ( Semiconductor ) 是指「半導體」之意

19. 對一般基本放大器加上負回授後，下列特性敘述，何者有誤？ (A) 放大器的增益 ( Gain ) 會衰減 (B) 頻寬 ( Bandwidth ) 會增加 (C) 增益與頻寬的乘積 ( Gain Bandwidth Product, GBP ) 提高 (D) 雜訊 ( Noise ) 對電路的影響降低

20. 一個數位加法器的積體電路(IC)分別以 BJT 電晶體設計和用 MOS 電晶體設計，一般而言對這兩種設計方式，下列敘述何者正確？ (A) 對於速度，以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 快 (B) 對於功率消耗，以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 省電 (C) 對於輸出訊號，以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 有較高的雜訊邊界 ( Noise Margin ) (D) 對於密度，以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 密度高

21. 下列有關物理量的單位定義，何者有誤？ (A) 安培( A )為電流的單位；1 A = 1 庫侖 ( Coulomb ) / 秒 (B) 伏特(V)為電壓的單位；1 V = 1 焦耳 ( Joul ) / 庫侖 (C) 瓦特(W)為功率的單位；1 W = 1 焦耳 / 秒 (D) 仟瓦小時 ( kwh ) 為能量的單位；1 kwh = 3600 焦耳

22. 圖(八)電路中，R1 和 R2 的消耗功率分別 23.7 W 及 36.3 W。已知 I S = 1.25 A，試求 VS =？

(A) 11.47 V (B) 17.9 V (C) 48 V (D) 75 V

23. 圖(九)為某電路之一分支 ( Branch )，試問欲將 1 庫侖的正電荷由 A 點移至 B 點，電場需作多少焦耳的功？

(A) 0.5 焦耳 (B) 1 焦耳 (C) 2 焦耳 (D) 4 焦耳

24. 若V_{S MAX} 表此電路所能承受的最大 V_S 電壓值，試求V_{S MAX} =？ (A) 5.5 V (B) 6.8 V (C) 7.5 V (D) 11.3 V

25. 承第 24 題，當 V_S 稍大於V_{S MAX} 時，哪一個電阻會最先崩潰？ (A) 12 Ω (B) 20 Ω (C) 1 (D) Ω 12 Ω 與20 Ω兩電阻同時崩潰

26. 試求 AB 兩端之等值電阻 Req =？

27. 承第 26 題，於 AB 兩端加入一理想獨立電壓源 VS如圖(十二)所示。當a = 0.5時，對此電路中的兩電源之能量供給狀態，下列敘述何者正確？

(A) 相依電源 ( avx ) 消耗能量，獨立電源 ( VS ) 消耗能量 (B) 相依電源 ( avx ) 供應能量，獨立電源 ( VS ) 消耗能量 (C) 相依電源 ( avx ) 消耗能量，獨立電源 ( VS ) 供應能量 (D) 相依電源 ( avx ) 供應能量，獨立電源 ( VS ) 供應能量

28. 圖(十三)網路中，部分分支電流已測得如圖所示。假設分支 X 之電壓 Vx = 3.5 V，試問此分支電路之消耗功率 P_X 為下列何者？

(A) P_X = – 15.75 W ( 供應能量 ) (B) P_X = – 22.75 W ( 供應能量 ) (C) P_X = 15.75 W ( 消耗能量 ) (D) P_X = 22.75 W ( 消耗能量 )

29. 有一線性電路含四個獨立電源如圖(十四)所示，其中三個電源的電壓或電流值是固定的， Ig 為可變電流源。表(一)所示為已知狀況，試求狀況三之 Vg =？

(A) − 5 V (B) −10 V (C) 9 V (D) 18 V

30. 試求以µ 表示之 AB 兩端諾頓等效電路的短路電流 ISC =？

31. 承第 30 題，若 AB 兩端的諾頓等效電阻

且 I SC <0，下列對其 AB 兩端等效電路之特性敘述何者正確？

(A) 存在諾頓等效電路，其電流源為相依電源，極性如圖(a)所示 (B) 存在諾頓等效電路，其電流源為獨立電源，極性如圖(b)所示 (C) 存在戴維寧等效電路，其電壓源為獨立電源，極性如圖(c)所示 (D) 存在戴維寧等效電路，其電壓源為相依電源，極性如圖(d)所示

32. 已知當 t ≥ 0⁺ 時，i _L(t) 之響應為 i_L(t) = i_L(∞) + [i_L (0⁺ ) −i_L (∞)] e^{− λt} ，試求 i_L(0⁺)= ？ (A) − 0.2 A (B) − 0.5 A (C) 1 A (D) 2 A

33. 承第 32 題，試求λ = ？ (A) 1250 (B) 5000 (C) 6250 (D) 7500

34. 圖 (十七 )電路中，已知 i _s(t) =6u(t) mA，u(t)為單位步級函數。假設 i_L(0^- ) = 8 mA， V_C (0 ^-) =2V。令 v _c'(t) 表 v _c(t) 之一階導式（即

），試求 Vc'(0+) ？

(A) − 350 安培( A ) / 法拉(F) (B) − 250 安培( A ) / 法拉(F) (C) 250 安培( A ) / 法拉(F) (D) 750 安培( A ) / 法拉(F)

35. 圖(十八)所示交流電路中，已知方塊 B 中僅含 R 和 C 元件。

之一分壓，|

的相量長度。在 |

| 值固定，而其它元件參數 ( 包括ω 、R、L、C ) 皆為可變的情況下，下列敘述何者正確？

| (D) 不一定 ( 以上三種情況皆可能發生 )

36. 有一 RLC 網路的等值輸入阻抗為

，其中 R、L、C 為未知數，但其值皆固定。已知在 ω = ω1和 ω = kω₁ 兩頻率點處，量得其等值輸入阻抗分別為

，其中 k 及 b 皆為大於 1 的實數。試問此網路之共振頻率為下列何者？

37. 圖(十九)所示之理想運算放大器電路為一溫氏 ( Wien ) 橋式震盪器，其中 C1 = C2。下列何者是支撐此電路維持震盪狀態的條件？

(A) R1 = R2 (B) R1 = 2R2 (C) R2 = 2R1 (D) R1 = 4R2

38. 在不計電源線的損耗功率的情況下，兩個具完全相同功率因數 ( pf ) 的設備並聯後，其總功率因數會有下列何種變化？ (A) 變小 (B) 變大 (C) 不變 (D) 不一定

39. 已知一電路的轉移阻抗函數為

且 i₁(t ) =2cos( t-45^o ) u (t) A， u(t)為單位步級函數，試問下列何者為 v₂(t) 之穩態響應 ( Steady-State Response )？ (A) ) cos(t + 8.13°)u(t) V (B) cos(t + 81.87°)u(t) V (C) sin(t − 8.13°)u(t) V (D) sin(t + 63.435°)u(t) V

40. 下列何者不是形成互易 ( Reciprocal ) 雙埠網路的充分且必要條件？ (A) z₁₂=z₂₁ ( z – 參數 ) (B) y₁₂=y₂₁ ( y – 參數 ) (C) h₁₂ + h₂₁ =1 ( h – 參數 ) (D) t₁₁t₂₂ − t₁₂t₂₁ = 1( t – 參數 )

申論題 (0)