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98年 - 98 關務特種考試_三等_電機工程：電子學與電路學#34467

科目：電路學 | 年份：98年 | 選擇題數：0 | 申論題數：5

試卷資訊

所屬科目：電路學

選擇題 (0)

申論題 (5)

【已刪除】一、有一射頻開關 PN 接面二極體（RF Switching PN-Junction Diode）之直流偏壓電壓 VD 的極性（Polarity）與直流偏壓電流 ID  的方向（Direction）如圖 1 所示，此二極 體之反向飽和電流（Reverse Saturation Current）為I0 ，放射係數（Emission Coefficient or Ideality Factor）為n ，熱電壓（Thermal Voltage）為   VT ，請詳列過程推 導證明此射頻開關二極體之動態電阻（Dynamic or Small-Signal Resistance）為 。（20 分）
【已刪除】二、圖 2 為運用理想運算放大器（Ideal Operational Amplifier）與 PN 接面二極體（PN Junction Diode）設計成之對數放大器（Logarithmic Amplifier），其中二極體之反向 飽和電流（Reverse Saturation Current）為I0 ，放射係數（Emission Coefficient or Ideality Factor）為n，熱電壓（Thermal Voltage）為 0I VT ，請詳列過程推導證明此對 數放大器之輸出電壓為  。（20 分）
【已刪除】三、一個一位元儲存電路（1-Bit Storage Cell）之S 、R輸入端與Q、 輸出端的對應關 係如下表所示，請運用六個 N 通道增強型金氧半場效電晶體（N-Channel Enhancement MOSFET）設計出此一位元儲存電路之電路圖，並請標明S 、R、Q、  端、與正電源電壓VDD端於電路圖中之對應位置。（20 分） 
【已刪除】四、已知圖 3 中(a)、(b)兩電路圖之 A、B、C 三個端點的電器特性完全等效（Electrically Equivalent），請詳列過程推導證明 。（20 分） 
【已刪除】五、請詳列過程推求圖 4 電路圖中電流 I 之安培數值。（20 分）