35. MOSFET之g_m為何？
(A)1 mA/V
(B)1.8 mA/V
(C)2.2 mA/V
(D)2.5 mA/V

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43. 學生進行二個BJT放大電路實驗，示波器輸入耦合設定於AC檔位、波形反相(INV)功能為關閉(OFF)且適當地設定測試棒衰減比，若測得輸入 vi(t) 與輸出vo(t) 信號如圖(二十六)(a)及(b)所示，則下列敘述何者正確？ (A)(a)為共集極、(b)為共射極實驗波形 (B)(a)為共基極、(b)為共集極實驗波形 (C)(a)為共射極、(b)為共基極實驗波形 (D)(a)為共基極、(b)為共射極實驗波形

44. 如圖(二十七)所示電路，稽納二極體(Zener diode)最大額定功率為60 mW、崩潰膝點電流IZK=0.5mA，且崩潰電壓VZ=6 \)V。忽略稽納電阻，在正常穩壓狀態下維持 Vo=6V，若負載功率PL=60 mW，則限流電阻RS最小值為何？ (A)450 Ω (B)500 Ω (C)650 Ω (D)700 Ω

45. 如圖(二十八)所示音訊放大電路，若調整電阻R，測得VAB=2.5V及 VC=6V，則電晶體β值為何？ (A)125 (B)110 (C)99 (D)80

46. 如圖(二十九)(a)所示之2N7000 MOSFET放大實驗電路，F.G.為信號產生器。已調整\( R_{G1} \)使電路之直流操作點\( V_D=6 \)V。以示波器之CH1與CH2分別測量\( v_i \)、\( v_o \)波形。示波器CH1、CH2之輸入耦合皆設定於DC檔位、波形反向(INV)功能皆為關閉(OFF)，且水平與垂直檔位均設置於適當檔位。若CH1測得波形如圖(二十九)(b)所示，則CH2所測得波形可能為何？ (A)( A )圖所示波形 (B)( B )圖所示波形 (C)( C )圖所示波形 (D)( D )圖所示波形

47. 如圖(三十)所示理想運算放大器電路，若輸出Vo 為8 V，則為何？ (A)4 (B)3 (C)2 (D)1

48. 如圖(三十一)所示CMOS數位邏輯電路，若邏輯1為高準位( +VDD)，邏輯0為低準位(0 V)，當輸入A、B皆為邏輯1時，則有關各電晶體工作狀態，下列敘述何者正確？ (A) M1、M2 為截止狀態， M3、 M4 為導通狀態 (B)M1、M2為導通狀態，M3、 M4為截止狀態 (C) M1、M4 為導通狀態，M2 、M3為截止狀態 (D)M1、M4為截止狀態，M2 、M3為導通狀態

49. 如圖(三十二)所示理想運算放大器振盪電路，\( R_i=2 \)kΩ、\( R_1=R_2=5 \)kΩ、\( C_1=C_2=0.02 \)μF，若輸出\( v_o \)為穩定振盪弦波，則電阻\( R_f \)及振盪頻率\( f_0 \)之理論值分別約為何？ (A)\( R_f=1 \)kΩ、\( f_0=15.9 \)Hz (B)\( R_f=1 \)kΩ、\( f_0=1.59 \)kHz (C)\( R_f=4 \)kΩ、\( f_0=15.9 \)Hz (D)\( R_f=4 \)kΩ、\( f_0=1.59 \)kHz

50. 如圖(三十三)所示電路，下列敘述何者正確？ (A)此電路為帶拒濾波器，其低頻截止頻率\( f_L=\frac{1}{2\pi R_2 C_2} \) (B)此電路為帶拒濾波器，其低頻截止頻率\( f_L=\frac{1}{2\pi R_1 C_1} \) (C)此電路為帶通濾波器，其高頻截止頻率\( f_H=\frac{1}{2\pi R_2 C_2} \) (D)此電路為帶通濾波器，其高頻截止頻率\( f_H=\frac{1}{2\pi R_1 C_1} \)

1. 有關原子結構，下列敘述何者正確？ (A)一個原子中的電子數目為質子數目與中子數目之和 (B)原子最外層軌道上的電子稱為價電子 (C)失去電子的原子稱為負離子 (D)原子核中有質子故原子呈正電性

2. 某金屬導體的電阻值與溫度為線性關係，且在溫度16℃時電阻值為10歐姆，而在66℃時電阻值為12歐姆，此導體在20℃時之電阻溫度係數約為何？ (A)0.00134 ℃⁻¹ (B)0.00252 ℃⁻¹ (C)0.00393 ℃⁻¹ (D)0.00512 ℃⁻¹

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