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技檢◆視聽電子-甲級
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114年 - 02900 視聽電子 甲級 工作項目 03:無線電學 201-250(2025/10/16 更新)#132281
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複選題
233. 陸地行動通訊的電波傳送方式有那些?
(A)直射波
(B)反射波
(C)散射波
(D)地表面波 。
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B1 · 2025/10/23
#6952223
1. 題目解析 這道題目要求了解陸地行...
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複選題234. 為何高頻功率須採熱量測定的方式測量? (A)高頻電壓、電流測量困難(B)頻率高無儀器可直接測量 (C)高頻信號易產生電磁波發射 (D)高頻電路極易受溫度影響 。
#3631841
複選題235. 如下圖電路所示,若電晶體β=99、VBE=0.7V,則 IB與 Ic電流為何? (A)IB= 298μA (B)Ic= 29.5mA (C)IB=20.2μA (D)Ic= 2mA 。
#3631842
複選題236. 如下圖電路所示,若運算放大器為理想且電晶體工作在順向作用區,則下列敘述何者正確? (A)當 Vi=5V 時 OPA 輸入具有「虛短路」特性 (B)OPA 作為比較器使用故輸入不具有「虛短路」特性 (C)IO=2.5mA (D)電晶體之消耗功率為 17.5mW 。
#3631843
複選題237. 如下圖所示電路,假設運算放大器為理想,則下列敘述何者正確? (A)VO為三角波且 VO(P- P)=15V (B)VO為方波且 VO(P- P)=15V (C)VO為三角波且VO頻率為 500Hz (D)VO為方波且 VO頻率為 125Hz 。
#3631844
複選題238. 如下圖所示電路,假設 VT=4V 且已知 VGS=10V 時 ID=7.2mA,若VDD=24V 且欲使 VDS=8V,則下列敘述何者正確? (A)Q1為增強型 P 通道MOSFET (B)Q1工作屬空乏模式 (C)Q1K 值 0.2mA/V (D)RD為 5KΩ 。
#3631845
複選題239. 如下圖所示電路,假設運算放大器為理想且所有電晶體 VBE皆為 0.7V,若 VA=5V、VB=3V,則下列敘述何者正確? (A)Q1、Q2、Q3均為導通 (B)此時 OPA 作為電壓隨耦器使用 (C)輸出電壓 VO=5V (D)Q1、Q2為導通、Q3為截止 。
#3631846
複選題240. 有關電源電路中濾波電路,下列敘述何者錯誤? (A)濾波電路的主要目的為消除漣波,其功能如同一高通濾波電路 (B)漣波因數(Ripple Factor,r%)判斷濾波電路好壞的指標,r%愈小漣波成分愈大 (C)當濾波電容愈大或負載變輕(輕負載)時,輸出波形之 r%會愈小 (D)π型濾波器是將RC 濾波電路中之電容 C 以電感 L 取代,輸出波形之 r%會愈小 。
#3631847
複選題241. 有關振盪器之敘述,下列何者正確? (A)正回授為振盪器之必要條件 (B)韋恩電橋振盪器因同時存在正/負回授,故可使用「虛接地」特性,方便分析與計算 (C)RC 相移振盪器之回授電路需用 3 節 RC 電路,故會造成衰減,必須搭配增益為 29 倍的放大器使用 (D)石英晶體振盪器為振盪頻率最穩定之射頻(RF)弦波振盪電路 。
#3631848
複選題242. 有關半導體之敘述,下列何者錯誤? (A)P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電 (B)P 型半導體是本質半導體摻雜 5 價元素所形成 (C)外質半導體帶正電、本質半導體為電中性 (D)矽(Si)質半導體之逆向崩潰電壓(VBR)較鍺(Ge)質半導體為高 。
#3631849
複選題243. 有關二極體之敘述,下列何者錯誤? (A)二極體 PN 接面因外加電位高低差導致產生漂移電流 (B)二極體 PN 接面因載子濃度不均勻導致產生擴散電流 (C)二極體 PN 接面因順向偏壓注入載子形成擴散(儲存)電容 (D)二極體 PN 接面因逆向偏壓空乏區變大形成過渡(空乏)電容 。
#3631850
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