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試題詳解

試卷：112年 - 112 台灣電力公司_新進僱用人員甄試：電子學#116963 | 科目：台電◆電子學

試卷資訊

試卷名稱：112年 - 112 台灣電力公司_新進僱用人員甄試：電子學#116963

年份：112年

科目：台電◆電子學

10. N通道增強型場效應電晶體(簡稱 MOSFET )的臨界電壓VT = 3 V，若電路中的VGS = 4 V時， ID = 2 mA，且MOSFET工作於飽和區，則 MOSFET 交流小信號模型中的轉移電導 gm 為何？
(A)1 mS
(B) 2 mS
(C) 3 mS
(D) 4 mS
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