11. 下列對於半導體之敘述，何者錯誤？ (A)當加順向偏壓於 PN 接面時，空乏區外存在擴散電容 (B)當加小於崩潰電壓之逆向偏壓於 PN 接面時，仍有少數載子流動，此為逆向飽和電流 (C)當加逆向偏壓於 PN 接面時，空乏區會變窄 (D)在本質半導體中摻雜五價元素，可形成 N 型半導體。