13. 如下圖所示之波形圖，請問此波型的有效值為？ 

 
(A)
(B)
(C)
(D)

1. 下列敘述何者不正確？ (A)在摻有銻（Sb）的半導體中，Sb扮演的角色是受體 (B)將 磷（P）或砷（As）加入一本質半導體可以將此半導體變為N型外質半導體 (C)在P型 半導體中之多數載子為電洞 (D)矽（Si）及鍺（Ge）皆是本質半導體。

2. 有一顆正電荷，逆電場方向移動，求其電位與位能之變化情形？ (A)電位下降，位 能減少 (B)電位升高，位能減少 (C)電位升高，位能增加 (D)電位下降，位能增加。

3. 某水電師傅發現用戶廚房中，有一個接烤箱的110V插座表面焦黑變形。試問下列敘述 何者錯誤？ (A)若要改善焦黑變形情況，可以將牆內電線換為較粗的線徑 (B)烤箱 的電源線若一直有重物壓制在上面，有可能會使插座焦黑變形 (C)若要改善焦黑變形 情況，可以將電源箱的廚房分路NFB更換成較高的跳脫電流數 (D)插座內部的簧片， 可能因電流長期加熱後造成生鏽，最後鐵鏽發熱產生插座焦黑狀況。 

4. 下列敘述何者正確？ (A)1平方密爾面積＜1圓密爾面積 (B)可變電阻器的外殼上面寫 「A250K」，則旋臂與阻值的關係是對數曲線，且最大阻值是250kΩ (C)游標卡尺的副 尺刻度，是將本尺刻度n格，等分為n+1格 (D)完全電磁式的無熔絲開關，其過載保護 的原理與熱動式相同。

5. 有關MOSFET特性敘述，下列何者有誤？ (A)空乏型MOSFET結構上少了通道 (B)N 通道空乏型MOSFET之夾止電壓VGSp為負值 (C)P通道增強型MOSFET之臨界電壓VGSt 為負值 (D)N通道增強型MOSFET之VGS需大於VGSt才可能導通電流。

6. 在BJT的三種組態中，CB組態具有下列何種特性？ (a)最高輸入電阻Ri (b)最低輸入 電阻Ri (c)最高輸出電阻Ro (d)最低輸出電阻Ro (e)最低電壓增益Av (f)最低電流增 益Ai (g)最高電壓增益Av (h)最高電流增益Ai ，則正確答案為： (A)bcfg (B)bdfg 用 (C)adeh (D)acef。

7. 下列對於MOSFET與BJT之功能特性比較的敘述？ (a)傳導電流BJT為雙載子元件， MOSFET為單載子元件 (b)輸出相依電源的特性BJT為電壓控制元件，MOSFET為電流 控制元件 (c)輸入阻抗部分是BJT大於MOSFET且較易受靜電影響而損壞 (d)IC製程而 言MOSFET製程較簡單且面積小，製造密度比BJT高 (e)雜訊干擾方面，MOSFET產生的 雜訊干擾比BJT小 (f)溫度特性的部份，MOSFET之IDSS及k值與BJT之β值皆為負溫度係 數 (g)電流輸出驅動能力而言MOSFET比BJT有較大的電流輸出 (h)輸出線性度而言， BJT在主動區時，其直流工作點上的小信號放大有較好的線性度，則正確答案為？ (A)bcfg (B)adfg (C)adeh (D)acef。

8. 某高工生在基本電學實習工廠找到一陶瓷電容器上標示「683」，則其電容量為？ (A)0.068μF (B)0.68μF (C)6.8μF (D)0.608μF。

9. 在電機實習工廠找到一台馬達，拆開後發現內有一離心開關，啟動線圈很細而且其匝數比主線圈的少過一半，所以你判定這台馬達的形式是？ (A)單相感應，電容起動 (B)單相感應，分相起動 (C)單相感應，永久電容啟動 (D)雙相感應，電容起動。

10. 同步發電機欲作並聯運轉時，利用同步燈檢查其整步（Synchonizing） 。若出現三燈輪流明滅時，表示下列條件何者為非？ (A)相序相同 (B)頻率相同 (C)電壓相同 (D)時 相不定。

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