17. 如圖 ( 十一 ) 所示電路，若 MOSFET 的臨界電壓 ( threshold voltage ) V_T = 2 V，且其參數 K=1mA/V²。欲設計使其工作在V_DS=4V，則R_D的值應為何？
(A) 2 kΩ
(B) 4 kΩ
(C) 6 kΩ
(D) 8 kΩ圖(十一)

Id=k(Vgs-Vt)^212=IdR...