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捷運◆電子學
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103年 - 10305 桃園捷運:電子學#59465
> 試題詳解
2.如【圖 2】所示電路,若 VO 為 4.8V,則 IO 為何?
(A)1.6mA
(B) 2.4mA
(C)4.0mA
(D) 8.0mA
答案:
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統計:
A(2), B(13), C(31), D(0), E(0) #1510020
詳解 (共 2 筆)
sv(邀請碼232196)
B1 · 2017/05/03
#2169392
4.8/3+4.8/2=4
(共 15 字,隱藏中)
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3
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jetaineo
B2 · 2018/02/06
#2615133
Io=Vo/(2k//3k)=4.8/1...
(共 29 字,隱藏中)
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相關試題
1.如【圖 1】所示電路,若輸入電壓 Vi 為 200mV,則輸出電壓為何? (A)-20.2V (B) -24.0V (C)+20.2V (D) +24.0V
#1510019
3.如【圖 3】所示電路,若 IDSS=3mA,VP=-4V,則 ID 為何? (A)1mA (B) 2mA (C)3mA (D) 4mA
#1510021
4.如【圖 4】所示電路,若運算放大器為理想且電晶體工作在順向作用區, 則 IO 為何? (A)0mA (B) 2.5mA (C)6mA (D) 12mA
#1510022
5.有一增強型 N 通道 MOSFET,其 VT=2V,下列敘述何者正確? (A)若 VGS=1V 且 VDS=8V 則該 MOSFET 工作於飽和區 (B)若 VGS=3V 且 VDS=6V 則該 MOSFET 工作於歐姆區 (C)若 VGS=4V 且 VDS=10V 則該 MOSFET 工作於飽和區 (D)若 VGS=5V 且 VDS=1V 則該 MOSFET 工作於飽和區
#1510023
6.如【圖 6】所示電路,假設運算放大器為理想且輸出飽和電壓為±12V,若電路具有 8V 的遲滯電壓, 則 R1/R2 之值為何? (A)1 (B) 2 (C)3 (D) 4
#1510024
7.如【圖 7】電路所示,假設 VT=4V、VDD=24V 且已知 VGS=10V 時 ID=7.2mA,欲使 VDS=8V,則 RD 為何? (A)1KΩ (B) 5KΩ (C)10KΩ (D) 50KΩ
#1510025
8.本質半導體中,若在平衡的狀態下,則自由電子濃度(n)、 電洞濃度(p)與本質濃度(ni)三者關係為何? (A)n=p>ni (B) n=p=ni (C)n>p>ni (D) n<p<ni
#1510026
9.如【圖 9】所示電路,假設二極體為理想,當 Vi=4+6sin314tV 時,則 Vo 輸出電壓為何? (A)5V (B) 12V (C)14V (D) 22V
#1510027
10.如【圖 10】所示電路,假設運算放大器為理想且所有電晶體 VBE 皆為 0.7V,若 VA=5V、VB=3V, 則 Vo 輸出電壓為何? (A)-10V (B) 3V (C)5V (D) 10V
#1510028
11.有關半導體之敘述,下列何者正確? (A)外質半導體帶正電、本質半導體為電中性 (B) P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電 (C)P 型半導體是本質半導體摻雜 5 價元素所形成 (D)矽(Si)質半導體之逆向崩潰電壓(VBR)較鍺(Ge)質半導體為高
#1510029
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