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統測◆(一)電子學、基本電學
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94年 - 94 二技統測_電機類、電子類_專業科目(一):電子學與電路學#19068
> 試題詳解
22. 下列有關電感器的描述,何者正確?
(A) 將能量儲存於磁場的儲能元件
(B) 電感量為電流除以磁通鏈
(C) 將能量儲存於電場的儲能元件
(D) 電感量為電荷量除以電壓
答案:
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統計:
A(122), B(10), C(12), D(4), E(0) #716721
詳解 (共 1 筆)
Rascal
B1 · 2017/03/31
#1857441
(A) 將能量儲存於磁場的儲能元件 (o...
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私人筆記 (共 1 筆)
邵恆
2024/04/08
私人筆記#5877626
未解鎖
基本電學(概要) -94年 - ...
(共 834 字,隱藏中)
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相關試題
1. 在矽本質半導體中摻雜磷雜質,則所得材料之多數載子為: (A) 電子 (B) 光子 (C) 質子 (D) 電洞
#716700
2. 有一矽半導體在溫度 T = 300 o K 下,本質載子濃度 ni為 5 × 1012 cm-3,若掺雜五價的雜質, 且雜質濃度為 1016 cm -3 ,此時電洞濃度為 p,電子濃度為 n,則 p+n 約為: (A) 1016 cm -3 (B) 108 cm -3 (C) 5 × 1012 cm -3 (D) 5 × 104 cm -3
#716701
3. 下列有關稽納 ( Zener ) 二極體之描述,何者正確? (A) 稽納二極體之順向偏壓特性曲線與一般二極體不同 (B) 稽納二極體之逆向偏壓達到崩潰電壓 ( breakdown voltage ) 時即已燒掉燬壞 (C) 稽納二極體是由二個 PN 二極體背對背組合而成 (D) 稽納二極體大都用於穩壓或限流電路
#716702
4. 如圖(一)所示電路,二極體之順向導通壓降均為 0.7 V,則 Vo 為: (A) 2 V (B) -2 V (C) -3 V (D) 3 V
#716703
5. N通道增強型MOSFET其臨界電壓 ( threshold voltage ) 為Vth,當VGS> Vth且VDS ≥ VGS - Vth 的條件下,其操作範圍為下列何區? (A) 截止區 (B) 飽和區 (C) 歐姆區 (D) 三極管區 ( triode region )
#716704
6. 若 N 通道 MOSFET 之參數為 Vth = 1V,W / L = 40,且 ,欲得到 飽和區 1mA 之汲極電流 ( drain current ),則元件之轉導值 ( transconductance ) 約為多 少毫安培 / 伏特 (mA/V )? (A) 0.6 (B) 1.0 (C) 1.4 (D) 1.8
#716705
7. 如 圖 (二 )所示電路,電晶體參數均為臨界電壓 , 若V1= 5 V 且V2= 2 V,則電晶體M1、M2 與M3 的寬長比(W/L)M1:(W/L)M2:( W / L )M3為: (A) 2:5:10 (B) 10:5:1 (C) 1:4:16 (D) 1:2:4
#716706
8. 如圖(三)所示電路,VEB = 0.7 V,熱電壓 VT = 26 mV,則小訊號分析之輸入阻抗 Zi 最接 近下列何值? (A) 15.5 Ω (B) 25.5 Ω (C) 35.5 Ω (D) 45.5 Ω
#716707
9. 如圖(四)所示電路,電晶體參數臨界電壓 Vth 均為 1 V,而,且不 考慮通道長度調變效應 ( channel length modulation effect ),若電晶體 M1 與 M2 均操作在 飽和區,分析小訊號時,電容 C 阻抗視為零,則增益 vo / vi約為:(A) -2.83 (B) -5.83 (C) -8.53 (D) -28.3
#716708
10. 如圖(五)所示的放大器,若電晶體 M1 與 M2 均操作在飽和區且轉導 gm1 = gm2 = 100µ A/V, 通道長度調變效應參數λ1 = λ2 = 0.01 V-1 ,I1 = 200 µ A ,I2 = 100 µ A,則放大器的小 訊號增益 |vo / vi| 約為: (A) 10 (B) 100 (C) 1000 (D) 10000
#716709
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