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101年 - 101 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子電機人員:電子學#26744
> 試題詳解
28.若其爾利電壓(Early Voltage)為 30V,當集極電流 I
C
=1mA,其輸出電阻 r
o
值約為多大?
(A) 10kΩ
(B) 20kΩ
(C) 30kΩ
(D) ∞
答案:
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統計:
A(3), B(5), C(76), D(8), E(0) #936523
詳解 (共 1 筆)
簡單不複雜
B1 · 2017/12/19
#2538274
ro=Va/Ic=30/1m=30k
(共 20 字,隱藏中)
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相關試題
29.如【圖 29】的電路,設電晶體操作在主動模式(active mode),其 IC=0.5mA,RC=10kΩ,RL=10kΩ, RE=0.2kΩ,CE及 CC均極大。此電路之小訊號電壓增益 Av=Vo/Vi大約為多大? (A) -20V/V (B) -40V/V (C) -100V/V (D) -200V/V
#936524
30.承上題,若電晶體的β=100,則此電路的小訊號輸入電阻 Rin 約為多大? (A) 50Ω (B) 250Ω (C) 5kΩ (D) 25kΩ
#936525
31.在【圖 31】的電路,電晶體操作在主動模式(active mode),其 VBE=0.7V,β=100。設電流源 I=5mA, RB=50kΩ ,RC=2kΩ ,則 VE約為多大? (A) -0.7V (B) -1.8V (C) -2.5V (D) -3.2V
#936526
32.一個 NMOSFET,其臨界電壓(Threshold Voltage)Vt=1V。輸入端的電壓,VGS=2V 時,其汲極飽和電 流 ID=1mA。則當 VGS增至 3V 而電晶體仍處於飽和模式(Saturation mode)之 ID值約為多大? (A) 1mA (B) 2mA (C) 4mA(D) 9mA
#936527
33.一個 NMOSFET,其臨界電壓(Threshold Voltage)Vt=1V。當輸出端的電壓 VDS=2V 時,其汲極飽和 電流 ID=1mA。則當 VDS增至 4V 時,其汲極飽和電流 ID值約為多大? (A) 1mA (B) 2mA (C) 4mA(D) 9mA
#936528
34.在【圖 34】的電路,NMOS 電晶體的臨界電壓(Threshold voltage)Vt=1V。電流源 I=1mA,VDD=5V, 若要使該電晶體操作在飽和模式(Saturation mode),則 RD的最大值為多大? (A) 4kΩ (B) 5kΩ (C) 6kΩ (D)無限制
#936529
35.在【圖 35】的共源(CS)放大器,設 NMOS 電晶體操作在飽和模式(偏壓電路略去未顯示),其臨 界電壓(Threshold voltage)Vt=1V,爾利電壓(Early Voltage)VA= ∞,RD=10kΩ ,若輸入電壓之直流成分 VI=2V 時,汲極電流之直流成分 ID=1mA。此共源放大器的小訊號電壓增益約為多大? (A) -10V/V (B) -20V/V (C) -40V/V (D) -∞
#936530
36.在【圖 36】的電路為一疊接(Cascode)放大器,其偏壓電路略去未顯示。電晶體 Q1、Q2 之跨導分別 為 gm1、gm2,輸出電阻 ro1、ro2均為∞。此疊接放大器之小訊號電壓增益 Av=vo/vi 為何? (A) -gm1RD (B) +gm1RD (C) -gm2RD (D) +gm2RD
#936531
37.以 MOSFET 構成的各種放大器組態中,具有較低頻寬的是哪一種組態? (A)共源(CS)組態 (B)共閘(CG)組態 (C)共汲(CD)組態(D)疊接(Cascode)組態
#936532
38.在共源(CS)放大器的各級閘電容中,以何者的米勒效應(Miller’s Effect)最為明顯? (A) Cgs (B) Cgd (C) Cdb(D) Csb
#936533
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