試題詳解

試卷：101年 - 101 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子電機人員：電子學#26744 | 科目：電子學

試卷資訊

試卷名稱：101年 - 101 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子電機人員：電子學#26744

年份：101年

科目：電子學

32.一個 NMOSFET，其臨界電壓(Threshold Voltage)V_t=1V。輸入端的電壓，V_GS=2V 時，其汲極飽和電流 I_D=1mA。則當 V_GS增至 3V 而電晶體仍處於飽和模式(Saturation mode)之 I_D值約為多大？
(A) 1mA
(B) 2mA
(C) 4mA
(D) 9mA

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詳解 (共 1 筆)

阿泰

B1 · 2017/06/22

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