32.一個 NMOSFET，其臨界電壓(Threshold Voltage)V_t=1V。輸入端的電壓，V_GS=2V 時，其汲極飽和電流 I_D=1mA。則當 V_GS增至 3V 而電晶體仍處於飽和模式(Saturation mode)之 I_D值約為多大？
(A) 1mA
(B) 2mA
(C) 4mA
(D) 9mA

ID1=k(VGS1-Vt)2帶入數值1...