32.一個 NMOSFET，其臨界電壓(Threshold Voltage)Vt=1V。輸入端的電壓，VGS=2V 時，其汲極飽和電 流 ID=1mA。則當 VGS增至 3V 而電晶體仍處於飽和模式(Saturation mode)之 ID值約為多大？
(A) 1mA
(B) 2mA
(C) 4mA
(D) 9mA

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統計： A(9), B(10), C(76), D(3), E(0) #936527

詳解 (共 1 筆)

#2287371
ID1=k(VGS1-Vt)2帶入數值1...
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