34.在【圖 34】的電路，NMOS 電晶體的臨界電壓(Threshold voltage)Vt=1V。電流源 I=1mA，VDD=5V， 若要使該電晶體操作在飽和模式(Saturation mode)，則 RD的最大值為多大？
(A) 4kΩ 
(B) 5kΩ 
(C) 6kΩ 
(D)無限制

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統計： A(16), B(18), C(20), D(9), E(0) #936529

詳解 (共 1 筆)

#1211796
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