試題詳解

試卷：101年 - 101 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子電機人員：電子學#26744 | 科目：電子學

試卷名稱：101年 - 101 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子電機人員：電子學#26744

年份：101年

科目：電子學

34.在【圖 34】的電路，NMOS 電晶體的臨界電壓(Threshold voltage)Vt=1V。電流源 I=1mA，V_DD=5V，若要使該電晶體操作在飽和模式(Saturation mode)，則 R_D的最大值為多大？
(A) 4kΩ
(B) 5kΩ
(C) 6kΩ
(D)無限制

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